--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 阻斷電壓 1200V
- 脈沖漏極電流 80A
- 最高加工溫度 325 ?C
- 反向恢復(fù)時間 24ns
- 反向恢復(fù)電荷 152nC
- 峰值反向恢復(fù)電流 10A
--- 產(chǎn)品詳情 ---
CPM2-1200-0080A是1200 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。第 3 代系列 1200 V 碳化硅 MOSFET 針對高功率應(yīng)用進行了優(yōu)化提供一系列 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET,它們針對不間斷電源 (UPS) 等大功率應(yīng)用進行了優(yōu)化;電機驅(qū)動器;開關(guān)電源;太陽能和儲能系統(tǒng);電動汽車充電;高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;和更多?;谧钚碌牡谌夹g(shù);1200 V 碳化硅 MOSFET 包括一系列導(dǎo)通電阻和封裝選項,使設(shè)計人員能夠為其應(yīng)用選擇正確的部件。1200V MOSFET 專為超低 RDS(ON) 和增加的 CGS/CGD 比率而設(shè)計,以提高硬開關(guān)性能。軟開關(guān)應(yīng)用也可以從更線性的 COSS 行為中受益。將1200 V SiC 二極管與 SiC MOSFET 搭配使用,可在要求苛刻的應(yīng)用中實現(xiàn)更高效率的強大組合。從基于硅的解決方案轉(zhuǎn)向碳化硅所獲得的效率有助于減小系統(tǒng)尺寸;重量; 設(shè)計復(fù)雜性;大多數(shù)大功率應(yīng)用中的成本。一系列頂面和背面金屬化選項和芯片布局為模塊設(shè)計人員提供了選擇組裝工藝和模塊布局的靈活性。。

好處
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 增加功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率
特征
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 易于并聯(lián)且易于驅(qū)動
? 雪崩堅固性
應(yīng)用
? 太陽能逆變器
? 開關(guān)模式電源
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 電池充電器
? 電機驅(qū)動
? 脈沖電源應(yīng)用
阻斷電壓:1200V
脈沖漏極電流:80A
最高加工溫度:325 ?C
反向恢復(fù)時間:24ns
反向恢復(fù)電荷:152nC
峰值反向恢復(fù)電流:10A
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