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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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CGHV35120F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： CGHV35120F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 額定功率 120 W @ TCASE = 85°C
  • 工作頻率 2.9 – 3.8 GHz
  • 瞬態(tài) 100 μsec – 300 μsec @ 20% 占
  • 功率增益 13 dB 功率增益@TCASE = 85°C
  • 典型漏極效率 62% 典型漏極效率@TCASE = 85°C
  • 脈沖幅度下降 <0.3 dB 脈沖幅度下降

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV35120F 是專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益; 和寬帶寬能力；這使得 CGHV35120F 非常適合 2.9 – 3.8 GHz 雷達放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。

CGHV35120F

 

特征
額定功率 = 120 W @ TCASE = 85°C
工作頻率 = 2.9 – 3.8 GHz
瞬態(tài) 100 μsec – 300 μsec @ 20% 占空比
13 dB 功率增益@TCASE = 85°C
62% 典型漏極效率@TCASE = 85°C
輸入匹配
<0.3 dB 脈沖幅度下降

應(yīng)用
S 波段雷達放大器


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