CGHV59070P 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號： CGHV59070P

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

操作頻率 4.4 – 5.9 GHz
典型值為 50 V 時 POUT
功率增益 14分貝
排水效率 55 %

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGHV59070 是內(nèi)部匹配的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV59070；從 50 伏電壓軌運行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和寬帶寬能力使 CGHV59070 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管采用法蘭和藥丸封裝。

特征
4.4 – 5.9 GHz 操作
50 V 時 POUT 典型值為 90 W
14分貝功率增益
55 % 排水效率
內(nèi)部匹配

應(yīng)用
海洋雷達(dá)
天氣監(jiān)測
空中管制
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港口安全
對流散射通信
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立年電子科技

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