CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術相比，這種 GaN 內(nèi)部匹配 (IM) FET 可提供出色的功率附加效率。GaN與砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。與 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該 IM FET 采用金屬/陶瓷法蘭封裝，可實現(xiàn)最佳電氣和熱性能。
特征
8.4 – 9.6 GHz 操作
145 W POUT 典型值
10分貝功率增益
40% 典型 PAE
50 歐姆內(nèi)部匹配
<0.3 dB 功率下降
應用
海洋雷達
天氣監(jiān)測
空中管制
海上船舶交通管制
港口安全
相關型號
CGHV96100F2
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CGHV96130F
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