Cree 的 CMPA3135060S 是氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高的擊穿率電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。該 MMIC 功率放大器包含一個兩級無功匹配放大器設(shè)計方法，使高功率和功率附加效率成為采用 7mm x 7mm 表面貼裝（QFN 封裝）實現(xiàn)。 該 MMIC 設(shè)計用于 S 波段雷達功率放大器應(yīng)用。
特征
3.1 - 3.5 GHz 操作
75 W 典型輸出功率
29 分貝功率增益
50 歐姆匹配，易于使用
塑料表面貼裝封裝，7x7 mm QFN
應(yīng)用
空中交通管制雷達
國防監(jiān)視雷達
火控雷達
軍用空中、陸地和海上雷達
天氣雷達
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