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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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Ampleon BLP9H10-30G是一款LDMOS功率晶體管

型號(hào): BLP9H10-30G

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 產(chǎn)品系列 BLP9H10-30G
  • 產(chǎn)品類(lèi)型 功率晶體管
  • 品牌 Ampleon(安譜隆)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

BLP9H10-30G

型號(hào)簡(jiǎn)介
      BLP9H10-30GAmpleon(安譜隆)推出的一款30 瓦的塑料 LDMOS 功率晶體管,專(zhuān)為基站應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它可以在 VSWR = 10:1 的負(fù)載失配下正常工作,并且具有良好的射頻性能,包括高功率增益、低輸入回波損耗、高漏極效率等。

 

型號(hào)規(guī)格

  • 品牌:Ampleon(安譜隆)
  • 型號(hào):BLP9H10-30G
  • 類(lèi)別:功率晶體管
  • 封裝:SOT1483-1

 

型號(hào)特點(diǎn)

  • 最大漏源電壓:105 V
  • 最大柵源電壓:-6 V 至 +11 V
  • 最大結(jié)溫:225 °C (長(zhǎng)期使用會(huì)影響可靠性)
  • 最大殼溫:+125 °C (操作)

 

應(yīng)用領(lǐng)域

  • FDD/TDD LTE: 頻分雙工/時(shí)分雙工長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù),用于構(gòu)建 4G 網(wǎng)絡(luò)基站。
  • W-CDMA: 寬帶碼分多址技術(shù),用于構(gòu)建 3G 網(wǎng)絡(luò)基站。
  • GSM EDGE: 增強(qiáng)型數(shù)據(jù)速率 GSM 演進(jìn)技術(shù),用于構(gòu)建 2G 網(wǎng)絡(luò)基站。
  • MC-GSM: 多載波 GSM 技術(shù),用于構(gòu)建 2G 網(wǎng)絡(luò)基站。
  • CDMA: 碼分多址技術(shù),用于構(gòu)建 2G 和 3G 網(wǎng)絡(luò)基站。
  • WiMAX: 全球微波接入互操作性技術(shù),用于構(gòu)建無(wú)線寬帶接入網(wǎng)絡(luò)。

 

相關(guān)型號(hào)

  • BLC9H10XS-500A
  • BLC9H10XS-350A
  • BLC10G22XS-400AVT
  • BLC10G18XS-400AVT
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