NPTB00004A GaN HEMT是針對(duì)DC-6 GHz操作優(yōu)化的寬帶晶體管。該器件設(shè)計(jì)用于連續(xù)、脈沖和線性操作，輸出功率水平為5W（37 dBm），采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝SOIC塑料封裝。在頻率低于3GHz時(shí)，NPTB00004A是NPTB00004的替代產(chǎn)品。
產(chǎn)品規(guī)格
零件編號(hào) NPTB00004A型
簡短描述 GaN放大器28 V，5 W，DC-6 GHz
最小頻率（MHz） 0
最大頻率（MHz） 6000
電源電壓（V） 28
PSAT（瓦） 5
增益（dB） 17
效率 >50
測試頻率（GHz） 2.50
包裹 土壤8NE
包裝類別 塑料
特征
2.5GHz時(shí)57%的漏極效率
GaN on Si HEMT D模晶體管
可從DC調(diào)諧-6 GHz
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOIC塑料包裝
28V操作
應(yīng)用
航空航天與國防
國防通信
ISM公司
VHF/UHF/L波段雷達(dá)
無線基礎(chǔ)設(shè)施
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