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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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QPD1006 分立式晶體管

型號(hào): QPD1006

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 1,200
  • 最大頻率(MHz) 1,400
  • 增益(分貝) 17.5
  • 飽和度(dBm) 54.9
  • 電壓(伏) 45
  • Idq (毫安) 750
  • 包裝類型 Ni50-CW
  • 包裝(毫米) 19 x 17.68 x 4.49

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD1006

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Qorvo 的 QPD1006 是一款 450 W (P3dB) 內(nèi)部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT,工作頻率范圍為 1.2 至 1.4 GHz 和 50V 電源軌。該器件是 GaN IMFET,完全匹配 50 歐姆,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)氣腔封裝,非常適合軍用和民用雷達(dá)。該器件可以支持脈沖和 CW 操作。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 1,200
最大頻率(MHz) 1,400
增益(分貝) 17.5
飽和度(dBm) 54.9
電壓(伏) 45
Idq (毫安) 750
包裝類型 Ni50-CW
包裝(毫米) 19 x 17.68 x 4.49

 

主要特征
頻率范圍:1.2 - 1.4 GHz
輸出功率 (P3dB):313 W (CW),468 W(脈沖)在 1.3 GHz
線性增益:17.5 dB (CW),17.8 dB(脈沖)在 1.3 GHz
典型 DEFF3dB (CW):55% (CW),62.2%(脈沖)在 1.3 GHz
工作電壓:45V(CW),50V(脈沖)
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力

 

相關(guān)型號(hào)
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