產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 QPD1022 是 SiC HEMT 上的 10 W (P3dB) 分立式 GaN，工作頻率范圍為 DC 至 12 GHz。這種寬帶設(shè)備是一種單級無與倫比的功率放大器晶體管，采用包覆成型塑料封裝。QPD1022 的寬帶寬使其適用于從 DC 到 12 GHz 的許多不同應(yīng)用。
該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 3 x 3 mm 表面貼裝 QFN 封裝。無鉛且符合 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)。評估板可應(yīng)要求提供。
產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 12,000
增益（分貝） 24
PAE （%） 68.8
電壓（伏） 32
Idq （毫安） 50
包裝類型 QFN
包裝（毫米） 3.0 x 3.0
主要特征
頻率范圍：DC - 12 GHz
輸出功率 (P3dB)：2 GHz 時為 11.0 W
線性增益：2 GHz 時典型值為 24.0 dB
典型 PAE3dB：2 GHz 時為 68.8%
工作電壓：32V
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力
3 x 3 毫米封裝
相關(guān)型號
QPD1013
QPD1014
QPD1015
QPD1015L
QPD1016
QPD1016L
QPD1017
QPD1018
QPD1019
QPD1020
QPD1022
QPD1025
QPD1025L
QPD1026L
