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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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T1G4020036-FL 射頻功率晶體管

型號: T1G4020036-FL

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 3,500
  • 增益(分貝) 18.1
  • 飽和度(dBm) 2×53.0
  • 排水效率(%) 67.6
  • 電壓(伏) 50
  • Idq (毫安) 520
  • 包裝類型 NI-650

--- 產(chǎn)品詳情 ---

T1G4020036-FL

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 T1G4020036-FL 是一款 2 x 200 W (P3dB) 寬帶輸入預(yù)匹配分立式 GaN on SiC HEMT,可在 DC 至 3.5 GHz 和 50V 電源軌范圍內(nèi)工作。該器件采用行業(yè)標準氣腔封裝,非常適用于軍用和民用雷達、陸地移動和軍用無線電通信、航空電子設(shè)備和測試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 3,500
增益(分貝) 18.1
飽和度(dBm) 2×53.0
排水效率(%) 67.6
電壓(伏) 50
Idq (毫安) 520
包裝類型 NI-650

 

主要特征
頻率:直流 - 3.5 GHz
輸出功率(P 3dB)1:200W
線性增益1:18.1dB
典型 PAE 3dB 1 : 67.6%
工作電壓:50V
CW 和脈沖能力
注:1:@2.8 GHz 負載牽引(器件的一半)

 

相關(guān)型號
QPD9300
T1G4020036-FL
T1G4020036-FS
T2G4005528-FS
T2G6000528-Q3
T2G6001528-Q3
T2G6001528-SG
T2G6003028-FL
T2G6003028-FS
TGF2023-2-01
TGF2023-2-02
TGF2023-2-05
TGF2023-2-10
TGF2023-2-20
TGF2819-FL
TGF2819-FS
TGF2929-FL
TGF2929-HM

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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