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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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TGF2933 分立式GaN 射頻晶體管

型號: TGF2933

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 25,000
  • 增益(分貝) 15
  • 飽和度(dBm) 38.6
  • PAE (%) 57
  • 電壓(伏) 28
  • Idq (毫安) 80
  • 包裝(毫米) 0.83 x 0.55 x 0.10

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TGF2933 

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 TGF2933 是一款 7 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT,可在 DC 至 25 GHz 和 28 V 電源下工作。該器件采用 Qorvo 成熟的 QGaN15 工藝構(gòu)建。該器件可以支持脈沖、CW 和線性操作。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 25,000
增益(分貝) 15
飽和度(dBm) 38.6
PAE (%) 57
電壓(伏) 28
Idq (毫安) 80
包裝(毫米) 0.83 x 0.55 x 0.10

 

主要特征
頻率范圍:DC - 25 GHz
輸出功率 (P3dB):10 GHz 時為 7.2 W
線性增益:10 GHz 時典型值為 15 dB
典型 PAE3dB:10 GHz 時為 57%
10 GHz 時的典型 NF:1.3 dB
工作電壓:28V
CW 和脈沖能力
0.83 x 0.55 x 0.10 芯片

 

相關型號
TGF2933
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TGF2977-SM
TGF2978-SM
TGF2979-SM
TGF3015-SM
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