產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 TGF2979-SM 是一款 25 W (P3dB) 寬帶無可比擬的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 12 GHz 和 32V 電源軌范圍內(nèi)工作。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 4 x 3 mm QFN 封裝，非常適合軍用和民用雷達(dá)、陸地移動和軍用無線電通信、航空電子設(shè)備和測試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。
產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 12,000
增益（分貝） 11
飽和度(dBm) 43.4
PAE （%） 45
電壓（伏） 32
Idq （毫安） 150
包裝類型 QFN
包裝（毫米） 4×3
主要特征
頻率范圍：DC - 12 GHz
輸出功率 (P3dB)：9.4 GHz 時為 22 W
線性增益：9.4 GHz 時典型值為 11 dB
典型 PAE3dB：9.4 GHz 時為 45%
工作電壓：32V
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力
4 x 3 毫米封裝
相關(guān)型號
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TQL9066
TQP3M9040
TQP3M9041
