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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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TGF3021-SM 分立式 GaN 射頻晶體管

型號(hào): TGF3021-SM

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 30
  • 最大頻率(MHz) 4,000
  • 增益(分貝) 19
  • 飽和度(dBm) 45
  • PAE (%) 73
  • 電壓(伏) 32
  • Idq (毫安) 65
  • 包裝類(lèi)型 QFN
  • 包裝(毫米) 4×3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TGF3021-SM 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Qorvo 的 TGF3021-SM 是一款 30 W (P3dB) 寬帶無(wú)可比擬的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN,可在 DC 至 4 GHz 和 32V 電源軌下運(yùn)行。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 3x4mm QFN 封裝,非常適合軍用和民用雷達(dá)、陸地移動(dòng)和軍用無(wú)線(xiàn)電通信、航空電子設(shè)備和測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線(xiàn)性操作。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 30
最大頻率(MHz) 4,000
增益(分貝) 19
飽和度(dBm) 45
PAE (%) 73
電壓(伏) 32
Idq (毫安) 65
包裝類(lèi)型 QFN
包裝(毫米) 4×3

 

主要特征
頻率范圍:30 MHz-4.0 GHz
輸出功率 (P3dB):2.0 GHz 時(shí)為 36 W
線(xiàn)性增益:2.0 GHz 時(shí)典型值為 19.3 dB
典型 PAE3dB:2.0 GHz 時(shí)為 72.7%
工作電壓:32V
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力
3 x 4 毫米封裝

 

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