產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF3C120080B7S 1200 V、85 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設計。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，非常適合開關電感負載以及任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。
產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 85
內(nèi)徑最大值(A) 28.8
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質(zhì) 不是
包裝類型 D2PAK-7L
主要特征
導通電阻 RDS(on)：85 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
出色的反向恢復：Qrr = 140 nC
低體二極管 VFSD：1.5 V
低柵極電荷：QG = 23 nC
閾值電壓 VG(th)：4.8 V（典型值）允許 0 至 15 V 驅(qū)動
相關型號
UF3C120080B7S
UF3C120080K3S
UF3C120080K4S
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UF3C120150K4S
UF3C120400K3S
UF3C170400K3S
UF3SC065007K4S
UF3SC065030B7S
UF3SC065040B7S
UF3SC120009K4S
UF3SC120016K3S
UF3SC120016K4S
UF3SC120040B7S
UF4C120053K3S
UF4C120053K4S
UF4C120070K3S
UF4C120070K4S
UF4SC120023K4S
UF4SC120030K4S
