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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXTN2010Z 低飽和 晶體管

型號: ZXTN2010Z

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 是的
  • 合規(guī)性 汽車
  • Polarity NPN
  • VCEO, VCES 60
  • IC (A) 5
  • ICM (A) 20
  • PD (W) 2.1
  • fT (MHz) 130
  • RCE(sat) 30

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTN2010Z  

 產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTN2010Z 這種采用 SOT89 外形封裝的新型低飽和 60V NPN 晶體管具有極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗,使其非常適合用于 DC-DC 電路和各種驅(qū)動和電源管理功能。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn)  是的
合規(guī)性(只有汽車支持 PPAP) 汽車
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 5
ICM (A) 20
PD (W) 2.1
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 55
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/5
VCE(sat) (Max.2) (mV) 125
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/50
fT (MHz) 130
RCE(sat) (mΩ) 30

 

主要特征
bvco>60伏
IC=5A高連續(xù)電流
RSAT=30m? 對于低等效導(dǎo)通電阻
低飽和電壓VCE(SAT)<65mV@IC=1A
hFE規(guī)定高達(dá)10A用于高電流增益保持
互補(bǔ)PNP類型:ZXTP2012Z
無鉛飾面;符合RoHS(注1和2)
不含鹵素和銻?!熬G色”裝置(注3)
符合AEC-Q101高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

 

相關(guān)型號
ZXTN19100CG
ZXTN19100CZ
ZXTN2005G
ZXTN2005Z
ZXTN2005ZQ
ZXTN2007G
ZXTN2007Z
ZXTN2010A
ZXTN2010G
ZXTN2010Z
ZXTN2010ZQ
ZXTN2011G
ZXTN2011Z
ZXTN2018F
ZXTN2018FQ
ZXTN2020F
ZXTN2031F
ZXTN2038F
ZXTN2040F

 

 

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