--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMT6010LPS
- 名稱 60V N 溝道增強型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 PowerDI® 5060-8
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMT6010LPS 這款新一代 n 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON),同時保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合用于筆記本電腦電池電源管理和負載開關(guān)。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMT6010LPS
名稱 60V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 PowerDI? 5060-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.5 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 80 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
PD @TC = +25°C (W) 113 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 12 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 41.3 nC
CISS Typ (pF) 2090 pF
主要特征
熱效率封裝冷卻器運行應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
開關(guān)速度快
<1.1mm 封裝外形 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
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