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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMTH10H010LCTB 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMTH10H010LCTB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMTH10H010LCTB
  • 名稱 100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TO263AB (D2PAK)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMTH10H010LCTB 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMTH10H010LCTB 這種新一代N溝道增強型MOSFET設(shè)計用于最小化RDS(ON),同時保持卓越的切換表演該設(shè)備是高效電源的理想選擇管理應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMTH10H010LCTB
名稱                  100V 175°C N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  TO263AB (D2PAK)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 100 A
PD @TA = +25°C (W) 3.9 W
PD @TC = +25°C (W) 125 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 9.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 17 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3.5 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 53.7 nC
CISS Typ (pF) 2592 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V


主要特征
額定溫度為+175°C——適用于高環(huán)境溫度環(huán)境
100%無阻尼感應(yīng)開關(guān)——確保更可靠和穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低RDS(ON)--最大限度地減少電源損耗
低Qg——最大限度地減少開關(guān)損耗


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