產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH6016LPSQ 該 MOSFET 專為滿足汽車(chē)應(yīng)用的嚴(yán)格要求而設(shè)計(jì)。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，由 PPAP 支持，非常適合用于：電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMTH6016LPSQ
名稱 60V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?5060-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.6 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 37 A
PD @TA = +25°C (W) 2.6 W
PD @TC = +25°C (W) 37.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 16 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 24 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 17 nC
CISS Typ (pF) 864 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
熱效率高的封裝 - 運(yùn)行應(yīng)用溫度更低
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
<1.1mm 封裝外形 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
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