FLC157XP GaAs FET和HEMT芯片

FET GaAs HEMT 芯片

型號： FLC157XP

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 FLC157XP
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地日本
封裝 XP

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的FLC157XP芯片是一種功率GaAs FET，專為C波段頻率范圍內(nèi)的通用應(yīng)用提供卓越的功率、增益和效率。住友電氣嚴格的質(zhì)量保證計劃確保最高的可靠性和一致的性能。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 FLC157XP
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地日本
封裝 XP

型號參數(shù)
高輸出功率：P1dB=31.5dBm（典型值）
高增益：G1dB=6.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=29.5%（典型值）
經(jīng)驗證的可靠性

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