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標(biāo)簽 > 制造工藝
制造工藝指制造CPU或GPU的制程,或指晶體管門(mén)電路的尺寸,單位為納米(nm)。主流的CPU制程已經(jīng)達(dá)到了7-14納米(AMD三代銳龍已全面采用7nm工藝,intel第9代全面采用14nm),更高的在研發(fā)制程甚至已經(jīng)達(dá)到了4nm或更高,已經(jīng)正式商用的高通855已采用7nm制程。
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硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技術(shù)是一種通過(guò)在硅介質(zhì)層中制作垂直導(dǎo)通孔并填充導(dǎo)電材料來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片間垂直互連的先進(jìn)封裝技術(shù)。
玻璃中介板技術(shù)的結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢(shì)
半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)推進(jìn)性能和集成度的邊界,Chiplet技術(shù)作為克服傳統(tǒng)單片設(shè)計(jì)局限性的解決方案正在興起。在各種Chiplet集成方法中,玻璃中介板代表了一...
Micro LED制造工藝中四大關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)
隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展,MicroLED作為一種新興的顯示技術(shù),因其高亮度、高對(duì)比度、低功耗等優(yōu)點(diǎn),受到了廣泛關(guān)注。為了實(shí)現(xiàn)MicroLED技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化...
在指甲蓋大小的硅片上建造包含數(shù)百億晶體管的“納米城市”,需要極其精密的工程規(guī)劃。分層制造工藝如同建造摩天大樓:先打地基(晶體管層),再逐層搭建電路網(wǎng)絡(luò)(...
在MEMS制造工藝中,干法刻蝕是通過(guò)等離子體、離子束等氣態(tài)物質(zhì)對(duì)薄膜材料或襯底進(jìn)行刻蝕的工藝,其評(píng)價(jià)參數(shù)直接影響器件的結(jié)構(gòu)精度和性能。那么干法刻蝕有哪些...
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)表面微機(jī)械加工技術(shù)
相比傳統(tǒng)體加工技術(shù),表面微機(jī)械加工通過(guò)“犧牲層腐蝕”工藝,可構(gòu)建更復(fù)雜的三維微結(jié)構(gòu),顯著擴(kuò)展設(shè)計(jì)空間。
隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮,對(duì)高質(zhì)量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術(shù)作為一種在半導(dǎo)體工藝制造中常用的單晶薄膜生長(zhǎng)方法,能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長(zhǎng)...
在集成電路制造工藝中,氧化工藝也是很關(guān)鍵的一環(huán)。通過(guò)在硅晶圓表面形成二氧化硅(SiO?)薄膜,不僅可以實(shí)現(xiàn)對(duì)硅表面的保護(hù)和鈍化,還能為后續(xù)的摻雜、絕緣、...
CMOS超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識(shí)
本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識(shí),重點(diǎn)將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟對(duì)器件及電路性能的影響上。
類(lèi)別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2021-03-04 標(biāo)簽:pcb制造工藝 599 0
發(fā)動(dòng)機(jī)制造工藝的詳細(xì)資料說(shuō)明立即下載
類(lèi)別:工控技術(shù) 2019-04-09 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)制造工藝 1.2k 0
MES給涂料行業(yè)帶來(lái)了什么管理優(yōu)勢(shì)?立即下載
類(lèi)別:品質(zhì)管理資料 2018-09-13 標(biāo)簽:制造工藝MES 1.1k 0
集成電路制造工藝簡(jiǎn)介和版圖設(shè)計(jì)技術(shù)以及電參數(shù)設(shè)計(jì)規(guī)則的詳細(xì)概述立即下載
類(lèi)別:電源技術(shù) 2018-06-15 標(biāo)簽:集成電路制造工藝版圖設(shè)計(jì) 1.6k 0
回轉(zhuǎn)式空氣預(yù)熱器刷式及鋁蜂窩密封技術(shù)制造工藝研究立即下載
類(lèi)別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2012-03-28 標(biāo)簽:制造工藝空氣預(yù)熱器密封技術(shù) 922 0
集成電路制造工藝狀態(tài)的表達(dá)與跟蹤監(jiān)控立即下載
類(lèi)別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2012-02-13 標(biāo)簽:集成電路制造工藝跟蹤監(jiān)控 948 0
新思科技旗下Ansys仿真和分析解決方案產(chǎn)品組合已通過(guò)臺(tái)積公司認(rèn)證
新思科技近日宣布,其旗下的Ansys仿真和分析解決方案產(chǎn)品組合已通過(guò)臺(tái)積公司認(rèn)證,支持對(duì)面向臺(tái)積公司最先進(jìn)制造工藝(包括臺(tái)積公司N3C、N3P、N2P和...
隨著科技的飛速發(fā)展,電子設(shè)備的種類(lèi)和數(shù)量不斷增加,人們對(duì)設(shè)備的能效要求也越來(lái)越高。低功耗處理器因其在節(jié)能、環(huán)保和成本效益方面的優(yōu)勢(shì)而受到廣泛關(guān)注。 低功...
光耦的制造工藝 1. 材料選擇 光耦的制造首先需要選擇合適的半導(dǎo)體材料,如硅、鍺等。這些材料需要具有優(yōu)良的光電特性,以確保光耦的高性能。 2. 芯片制備...
2025-01-14 標(biāo)簽:光耦制造工藝半導(dǎo)體材料 1.4k 0
鉭電容的制造工藝是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過(guò)程,以下是對(duì)其制造工藝的詳細(xì)解析: 一、原料準(zhǔn)備 鉭粉制備 : 鉭粉是鉭電容器的核心材料,通常通過(guò)粉末冶金工藝制備。...
在工業(yè)自動(dòng)化、航空航天、醫(yī)療設(shè)備和環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域,壓力傳感器扮演著至關(guān)重要的角色。它們能夠測(cè)量并監(jiān)控壓力變化,為系統(tǒng)提供必要的數(shù)據(jù)支持。隨著技術(shù)的發(fā)展,...
2024-12-12 標(biāo)簽:壓力傳感器制造工藝工業(yè)自動(dòng)化 2.1k 0
隨著科技的不斷進(jìn)步,DMD芯片技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的潛力和應(yīng)用前景。 1. 技術(shù)創(chuàng)新 1.1 高分辨率和高幀率 隨著消費(fèi)者對(duì)顯示質(zhì)量要求的提高,D...
2024-12-05 標(biāo)簽:制造工藝驅(qū)動(dòng)電路DMD芯片 2.2k 0
鈮電容器的制造工藝 鈮電容器的可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
鈮電容器的制造工藝 鈮電容器的制造工藝主要包括以下步驟: 被膜制造工藝 : 空燒 :除掉Nb2O5氧化膜層上的表面雜碎物質(zhì),并激發(fā)其表面的活性度,以確保...
多點(diǎn)支撐:滾珠導(dǎo)軌的均勻分布優(yōu)勢(shì)!
滾珠導(dǎo)軌的滾珠穩(wěn)定性可以有效保持滾珠導(dǎo)軌的穩(wěn)定運(yùn)行,減少滾珠脫落的風(fēng)險(xiǎn),確保設(shè)備的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性。
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