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功率模塊

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功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊，功率模塊的作用用很多，比如：空調上作用就是變頻用的。如果在音頻部分，那作用就是做放大的。如果是在電源，就是做穩(wěn)壓的。

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功率模塊技術

IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類車規(guī)級IGBT功率模塊的散熱方式

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引起IGBT失效的原因有幾種

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2023-01-13 標簽：IGBT 功率模塊 2.9k 0

一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響

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三菱電機工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊解析

三菱電機開發(fā)了工業(yè)應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內部結構，與現有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部...

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智能功率模塊IPM的結溫評估

IPM模塊是電機驅動變頻器的最重要的功率器件，近些年隨著IPM模塊的小型化使模塊Rth（j-c）變大，從而對溫升帶來了越來越多的挑戰(zhàn)。

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基于SIC功率模塊的200kW車載逆變控制器介紹

在電動汽車驅動控制器中，逆變控制器是實現能量交直流轉化的關鍵部件，用于電機的驅動或制動時的能量回收或是提供交流電源。市場對于逆變控制器的能量傳輸效率、功...

2023-05-11 標簽：電動汽車控制器晶體管 2.7k 0

新能源汽車功率模塊的“散熱神器”——AMB基板

新能源汽車以其零排放、低噪音、高效率等優(yōu)點，正逐漸成為傳統(tǒng)燃油汽車的有力替代品。功率模塊是新能源汽車電機控制器、充電樁等核心部件的重要組成部分，其負責電...

2024-03-19 標簽：新能源汽車功率模塊 AMB 2.7k 0

功率模塊封裝工藝

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2024-12-06 標簽：封裝功率模塊 2.7k 0

碳化硅功率模塊的建模和驗證

傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)（即碳化硅）已經超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導通電阻之比是由...

2022-08-04 標簽：MOSFET 功率模塊碳化硅 2.7k 0

功率模塊與功率集成電路的區(qū)別

功率模塊（Power Module）與功率集成電路（Power Integrated Circuit, PIC）在電子領域中都扮演著重要角色，但它們在結...

2024-08-08 標簽：晶體管功率模塊功率集成電路 2.6k 0

主功率模塊架構分析與驅動IC選型錦囊

小功率便攜儲能(200W~600W)的主功率變換器拓撲架構如下圖所示。電池充電與電池放電采用獨立模塊實現，能量在開關變換器中只能單向流動。

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DIPIPM失效解析報告解讀及失效樹分析

DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱，由三菱電機于1997年正式推向市場，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調等領域獲得廣泛應用。本講座主要介紹DIPIP...

2023-11-29 標簽：半導體三菱電機功率模塊 2.5k 0

IGBT功率模塊的開關特性有哪些呢？

IGBT 功率模塊的開關特性是由它的內部結構，內部的寄生電容和內部和外接的電阻決定的。

2023-09-22 標簽：MOSFET IGBT 晶體管 2.5k 0

SiC功率模塊封裝技術及展望

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車規(guī)級功率模塊封裝的現狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法

2023-10-27 標簽：MOSFET 封裝技術 SiC 2.4k 0

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC...

2023-02-10 標簽：開關 MOSFET IGBT 2.4k 0

深度了解第8代1800A/1200V IGBT功率模塊

本文介紹了為工業(yè)應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了...

2024-11-14 標簽：二極管 IGBT 三菱電機 2.4k 0

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本文旨在為 SPM 31 v2 系列功率模塊設計提供實用指南，該系列智能功率模塊 (IPM) 適用于三相電機驅動，包含三相變頻段、柵極驅動器等。

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2024-07-26 標簽：IGBT 晶體管功率模塊 2.3k 0

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