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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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江西薩瑞微獨家研發(fā)【一種LDMOS場效應管及其制備方法】
一種LDMOS場效應管及其制備方法本發(fā)明涉及半導體器件設計領域,具體涉及一種LDMOS場效應管及其制備方法。在當前半導體行業(yè)競爭日趨激烈的背景下,LDM...
7月18日,江蘇北人在投資者互動平臺表示,開展儲能業(yè)務是公司的重要戰(zhàn)略布局,公司采取“產品設計—產線研發(fā)—供應鏈—規(guī)模化制造—資產持有—資產運營”一體化...
下一代 CMOS 邏輯晶體管的另一個有希望的候選者是通道是過渡金屬二硫屬化物 (TMD) 化合物的二維材料(單層和極薄材料)的晶體管。
“深化中國戰(zhàn)略,探索協(xié)同發(fā)展”SPEA代表團訪問芯派科技
SPEANews在全球半導體產業(yè)競爭日益激烈的當下,SPEA作為全球領先自動化測試設備廠商堅定不移地扎根中國市場,精準地響應中國客戶需求,持續(xù)深化與本土...
華虹宏力半導體制造有限公司"半導體器件制造"專利公開
該技術方案主要包括以下步驟:首先在襯底內構建第一溝槽與第二溝槽,其中第一溝槽位于MOS區(qū)域,第二溝槽位于SBR區(qū)域;接著在上述溝槽的內壁依次制備第一氧化...
在近期的2024年IEEE國際電子器件會議(IEDM 2024)上,英特爾代工展現(xiàn)了一系列創(chuàng)新技術,為半導體行業(yè)的未來發(fā)展注入了強勁動力。 在新材料領域...
SC2020半導體器件測試系統(tǒng) 晶體管參數(shù)檢測設備技術解析
C2020晶體管測試系統(tǒng)是專為二極管、三極管、IGBT、MOSFET等?半導體分立器件?設計的?電學參數(shù)測試設備?,集成實驗室級測量精度(±0.1%)與...
電源是電子設備中重要的組成部分,從小到移動電話,媒體播放器中的電源,大到各種電力驅動和能源轉換設備,其核心都是電能的調節(jié)變化和分配。開發(fā)、設計和調試這些...
XBLW芯伯樂受邀出席深圳市電子商會第六屆理事會第七次會議,共話電子產業(yè)新未來
7月25日,深圳市電子商會第六屆理事會第七次會議暨2025電子信息產業(yè)交流對接會在深圳?華強科技生態(tài)園勝利召開。深圳市芯伯樂電子有限公司作為商會理事單位...
靜電放電(ESD)二極管通過耗散靜電放電的高能量來保護關鍵電子系統(tǒng)和子系統(tǒng)。這可以保護重要的SOC(系統(tǒng)芯片)和其他器件在ESD事件期間免遭損壞。
2023-10-11 標簽:二極管ESD數(shù)據(jù)接口 626 0
突破邊界:先進封裝時代下光學檢測技術的創(chuàng)新演進
隨著半導體器件向更精密的封裝方案持續(xù)演進,傳統(tǒng)光學檢測技術正逐漸觸及物理與計算的雙重邊界。對2.5D/3D集成、混合鍵合及晶圓級工藝的依賴日益加深,使得...
一、基本概念 CV特性 (電容-電壓特性)是指半導體器件在不同偏置電壓下表現(xiàn)出的電容變化規(guī)律,主要用于分析器件的介電特性、載流子分布和界面狀態(tài)。該特性是...
2025-09-01 標簽:半導體器件 514 0
碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉換頻率下,400V電壓時,碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間;8...
半導體產業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石,其技術的發(fā)展日新月異。半導體器件從設計到生產,每個環(huán)節(jié)都對測試設備的精度、效率提出了嚴苛要求。示波器作為關鍵的測試測量儀器...
第一代半導體材料是指硅、鍺元素等單質半導體材料,鍺做的晶體管曾經也是流行的老大,但由于速度較慢、不耐熱等缺點,在八十年代初就被硅基管給取代了,一直到現(xiàn)今...
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