湖南科技大學材料學院在半導體器件散熱領域取得新進展

氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料，在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領域具有硅半導體無法比擬的優(yōu)勢。然而，散熱問題是制約其...

2023-03-24 標簽：氮化鎵晶格半導體器件 1.2k 0

硅晶圓出貨量：2023年降13%，2025年預計增長7%

報告亦指出，盡管2023年整體半導體行業(yè)景氣度回落，加之現(xiàn)有高庫存水位的影響，導致硅晶圓出貨量下降約13%。這是自2019年后首次出現(xiàn)年度出貨量降低現(xiàn)象。

2024-03-04 標簽：半導體硅晶圓半導體器件 1.2k 0

士蘭微電子榮膺“2022年度卓越功率半導體企業(yè)”

依托IDM模式，士蘭微電子實現(xiàn)了特色工藝技術與產品研發(fā)的緊密互動，以及半導體器件、集成電路和模塊產品的協(xié)同發(fā)展。公司的技術與產品涵蓋了消費類產品的眾多領...

2022-11-17 標簽：士蘭微電子半導體器件 1.2k 0

豪威集團研發(fā)出0.56μm超小像素尺寸，引領像素壓縮

　豪威集團證實像素壓縮不受光波長限制；半導體器件堆疊新技術可實現(xiàn)高量子效率性能的0.56μm超小像素尺寸。

2022-02-22 標簽：圖像傳感器半導體器件光電二極管 1.2k 0

碳化硅器件的類型及應用

碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料，具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，同時保持穩(wěn)定性和效率。

2024-04-16 標簽：功率器件半導體器件碳化硅 1.2k 0

突破衍射極限，還看“近場光學”

極小的物體被放大幾千倍，各種物質的豐富細節(jié)徐徐展開，人類觀察自然界的視野得到極大拓寬——這是光學顯微鏡賦予人類的“超能力”。不過，無限提高放大倍數(shù)是不可...

2023-05-22 標簽：光學顯微鏡半導體器件 1.2k 0

探索熱阻測試儀在半導體器件熱管理中的應用與前景

隨著半導體器件不斷向高頻、高功率、高集成度方向發(fā)展，器件的有源區(qū)工作溫升也隨之升高，導致性能及長期可靠性降低。為了有效進行散熱設計和性能檢測，必須精確測...

2024-05-16 標簽：芯片電子器件熱管理 1.2k 0

二極管與晶體管的比較分析

在現(xiàn)代電子技術中，二極管和晶體管是兩種不可或缺的半導體器件。它們在電路設計中有著廣泛的應用，從簡單的信號處理到復雜的集成電路。 二極管 二極管是一種兩端...

2025-02-07 標簽：二極管晶體管半導體器件 1.2k 0

垂直GaN獲得重大突破，旨在取代SiC

CEO進一步指出，產品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應用垂直 GaN 技術領導者的地位。它需要我們的重要知識產權來制造適用于客戶用例的產品。

2023-01-11 標簽：SiCGaN半導體器件 1.1k 0

EUV光刻市場高速增長，復合年增長率21.8%

EUV掩膜，也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜，對于極紫外光刻（EUVL）這種先進光刻技術至關重要。EUV光刻是一種先進技術，用于制造具有更小特征尺寸和增...

2023-08-07 標簽：半導體器件光刻技術EUV 1.1k 0

蘇州工業(yè)園區(qū)集成電路出口增幅81.5%，推動園區(qū)進出口增長27%

相比之下，集成電路進出口相對增幅較園區(qū)整體超出45個百分點。實際上，在同期園區(qū)進出口總值中，這個數(shù)字占據(jù)了44.1%，拉動園區(qū)總體進出口增長了27個百分...

2024-03-15 標簽：集成電路顯示器半導體器件 1.1k 0

通過放置‘墊腳石’將半導體器件的功耗減半

當幾個納米（nm，十億分之一米）單位大的絕緣體區(qū)域轉變?yōu)榻饘賲^(qū)域時，就會發(fā)生金屬-絕緣體相變。而關鍵是降低施加在器件上的電壓的大小，以提高半導體器件的開關效率。

2022-09-26 標簽：半導體器件絕緣體 1.1k 0