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標(biāo)簽 > 封裝技術(shù)
所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例,實際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌,而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過封裝后的產(chǎn)品。
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前封裝歷史主要按封裝技(是否焊線)將封裝工藝分為傳統(tǒng)封裝與先進封裝。傳統(tǒng)封裝的基本連接系統(tǒng)主要采用引線鍵合工藝,先進封裝指主要以凸點(Bumping)方...
關(guān)于集成電路系統(tǒng)級封裝(SiP)技術(shù)以及應(yīng)用
由于集成電路設(shè)計水平和工藝技術(shù)的提高,集成電路規(guī)模越來越大,已可以將整個系統(tǒng)集成為一個芯片(目前已可在一個芯片上集成108個晶體 管)
當(dāng)前給定的MCP的概念為:MCP是在一個塑料封裝外殼內(nèi),垂直堆疊大小不同的各類存儲器或非存儲器芯片,是一種一級單封裝的混合技術(shù),用此方法節(jié)約小巧印刷電...
半導(dǎo)體制造的工藝過程由晶圓制造(Wafer Fabr ication)、晶圓測試(wafer Probe/Sorting)、芯片封裝(Assemble)...
目前封裝歷史主要按封裝技(是否焊線)將封裝工藝分為傳統(tǒng)封裝與先進封裝。傳統(tǒng)封裝的基本連接系統(tǒng)主要采用引線鍵合工藝,先進封裝指主要以凸點(Bumping)...
SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層,且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù),從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...
就AC-DC變換器的產(chǎn)品推廣來說,同一款封裝常常會面臨功率不同的情況,因此選擇最合適的變換器模塊電源封裝就顯得至關(guān)重要。那么,在進行AC-DC變換器的電...
一文了解倒裝芯片技術(shù) 半導(dǎo)體封裝技術(shù)簡介
從事半導(dǎo)體行業(yè),尤其是半導(dǎo)體封裝行業(yè)的人,總繞不開幾種封裝工藝,那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術(shù)。
傳統(tǒng)上,IC芯片與外部的電氣連接是用金屬引線以鍵合的方式把芯片上的I/O連至封裝載體并經(jīng)封裝引腳來實現(xiàn)。隨著IC芯片特征尺寸的縮小和集成規(guī)模的擴大,I/...
半導(dǎo)體器件評估封裝技術(shù)特性時需要考慮的關(guān)鍵因素
設(shè)計師如何在保持封裝魯棒性和可靠性的同時,提高功率密度?首先,封裝可以采用更大的引線框架面積,從而可以容納諸如IGBT的更大的功率芯片。這也實現(xiàn)了較低的...
2018-03-16 標(biāo)簽:封裝技術(shù)半導(dǎo)體器件 4.7k 0
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展,先進封裝技術(shù)成為了提升芯片性能和功能密度的關(guān)鍵。近年來,作為2.5D和3D封裝技術(shù)之間的一種結(jié)合方案,3.5D封裝技術(shù)逐漸走向前臺。
按功能種類劃分,車規(guī)級半導(dǎo)體大致可分為主控/計算類芯片(MCU、CPU、FPGA、ASIC和AI芯片等)、功率半導(dǎo)體(IGBT和MOSFET)、傳感器(...
2023-04-08 標(biāo)簽:存儲器封裝技術(shù)車規(guī)級芯片 4.5k 0
在現(xiàn)代芯片封裝技術(shù)中,"bump" 和 “micro bump” 是用于不同封裝類型的關(guān)鍵組件,尤其在3D集成技術(shù)中起到至關(guān)重要的作...
三維封裝技術(shù)是指在二維封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上,進一步向垂直方向發(fā)展的微電子組裝技術(shù)。
從MCM、ECP到2.5D的TSV等持續(xù)整合電子元件于更小封裝的創(chuàng)新技術(shù)出現(xiàn),主要的驅(qū)動力量就來自于永無止境地追求更輕薄短小的智慧型手機。
在整個電子行業(yè)中,芯片級的亞微米特征尺寸正在將封裝元件尺寸降低到早期技術(shù)的設(shè)計規(guī)則水平。今天的集成電路(IC)封裝技術(shù)必須提供更高的引腳數(shù),更小的引腳間...
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