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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應(yīng)。在氨氣流中于1050~1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動液態(tài)金屬,并促使與氮化劑的接觸。
2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細(xì)的GaP或GaAs也可制得GaN。
許多廠商都提供了門驅(qū)動芯片,這些芯片是十分有價值的,允許用戶為選定的GaN器件、轉(zhuǎn)換速度和其他因素進(jìn)行調(diào)節(jié)。在這些驅(qū)動芯片中,來自TI的LMG1205可...
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
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氮化鎵(GaN)的晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)
到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu),它們分別為纖鋅礦(Wurtzite)、閃鋅礦(Zincblende)和巖鹽礦(Rocksalt)。通常的情況下...
氮化鎵充電器和普通充電器是兩種不同的充電設(shè)備,它們在充電速度、充電效率、體積大小、重量、安全性能等方面存在一些差異。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵充電器和普通...
氮化鎵和砷化鎵的區(qū)別 氮化鎵和砷化鎵優(yōu)缺點分析
氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性,可以更好地抵抗高溫和電磁干擾,因此可以替代砷化鎵。
GaN在成本控制方面顯示出了更強的潛力。目前主流的GaN技術(shù)廠商都在研發(fā)以Si為襯底的GaN的器件,來替代昂貴的SiC襯底。有分析預(yù)測,到2019年Ga...
氮化鎵GaN詳細(xì)對比分析 納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用
作者:馬坤 (郵箱:kuner0806@163.com) 隨著中國芯GaN產(chǎn)品上市,引起了大家的關(guān)注,PD產(chǎn)品更是多姿多彩;納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科Ga...
IQOO這款120W適配器整體采用一體成型制造,采用破壞性拆解,不具備復(fù)原性和可維修性,電源內(nèi)部采用灌膠方式將導(dǎo)熱硅膠材料灌封成一個整體,提高適配器防水...
小米55w氮化鎵充電器怎么樣?小米氮化鎵充電器拆解評測氮化鎵芯片
小米55W氮化鎵適配器的電源內(nèi)部采用灌膠方式將導(dǎo)熱硅膠材料灌封成一個整體,提高適配器整體防水性、導(dǎo)熱性。并且元器件沒有位移空間,起到提高耐候性,增強適配...
一文看懂氮化鎵:納微最全介紹,帶你極速認(rèn)識第三代半導(dǎo)體
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū),從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。
2021-07-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵納微半導(dǎo)體 2.4萬 0
重度依賴手機已經(jīng)成為一種社會常態(tài),很多人每天打開屏幕的次數(shù)不下百次。這讓無數(shù)人患上了“電量焦慮”,插上充電器的那一刻才能得以平息。雖然每天都在用充電器,...
今天我們一起學(xué)習(xí)一下關(guān)于氮化鎵龍頭企業(yè)到達(dá)有哪些呢?首先氮化鎵,分子式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中...
1、氮化鎵是什么? 是一種無機物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管...
2021-07-10 標(biāo)簽:氮化鎵 9.6萬 0
氮化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料,它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性,在早期廣泛運用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半...
相信最近關(guān)心手機行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵(GaN)”,這個名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后,“氮化鎵”...
氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料,或成5G時代的最大受益者之一
GaN器件則以高性能特點廣泛應(yīng)用于通信、國防等領(lǐng)域,在5G 時代需求將迎來爆發(fā)式增長。
中國積極布局第三代半導(dǎo)體材料!國內(nèi)都有哪些氮化鎵的供應(yīng)商?
Yole Developpement功率電子暨化合物半導(dǎo)體事業(yè)單位經(jīng)理PierricGueguen認(rèn)為,碳化硅主要適用于600V以上的高功率應(yīng)用,氮化鎵...
2019-05-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 5.7萬 0
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年,無論是吊打碳化硅,還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好...
2019-03-12 標(biāo)簽:氮化鎵 3.6萬 0
半導(dǎo)體材料都有哪些?半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)分類狀況
集成電路產(chǎn)業(yè)鏈包括設(shè)計、制造和封測等關(guān)鍵步驟,其中半導(dǎo)體材料是集成電路上游關(guān)鍵原材料,按用途可分為晶圓制造材料和封裝材料。
2023-07-03 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.6萬 0
破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴張減速——盤點2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)剛剛過去的2024年里,第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用,在清潔能源、新能源汽車市場進(jìn)一步滲透的同時,數(shù)據(jù)中心電源、機器人...
2025-01-05 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 2.7萬 0
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