機(jī)器人拳擊比賽上，本想重拳出擊KO對(duì)方，結(jié)果拳打出去沒有力氣；機(jī)器狗凌空翻轉(zhuǎn)，卻在半空卡住，尷尬落地。

機(jī)器人打出去的拳是否有力，反應(yīng)速度快不快，動(dòng)作是否流暢，這一切都與關(guān)節(jié)電機(jī)密切相關(guān)。世強(qiáng)推出氮化鎵關(guān)節(jié)電機(jī)方案，融合24bit高精度磁編碼器、帶EtherCAT通信的MCU和氮化鎵技術(shù)，重塑機(jī)器人關(guān)節(jié)性能！

01

超高精度，動(dòng)作絲滑如真人

24bit磁編碼器，分辨率比傳統(tǒng)的16bit提升了8倍（24bit產(chǎn)品是實(shí)際有效位16bit+8bit的校驗(yàn)位，比平常的16bit（實(shí)際有效位13bit）的精度高8倍），角度控制可以精確到0.02°！在這樣的條件下，機(jī)器人能輕松完成復(fù)雜的動(dòng)作，無論是精準(zhǔn)出拳還是優(yōu)雅轉(zhuǎn)身，都流暢自然，宛如真人。

02

納秒級(jí)響應(yīng)，快如閃電

高性能MCU搭配100Mbps EtherCAT通信，速度從微秒級(jí)提升至納秒級(jí)。關(guān)節(jié)瞬態(tài)響應(yīng)快到極致，格擋、閃避、重拳出擊，招招迅猛，絕不拖泥帶水。

03

511W/kg頂級(jí)能效，續(xù)航強(qiáng)大

氮化鎵器件將驅(qū)動(dòng)頻率提升至100kHz，

死區(qū)時(shí)間低至10ns。

相比傳統(tǒng)MOSFET方案，整機(jī)效率提升12%，整機(jī)功率密度高達(dá)511W/kg！

關(guān)節(jié)損耗更低、力量更強(qiáng)，讓機(jī)器人真正擁有持續(xù)跳動(dòng)的“心臟”。

04

熱管理革新，低溫升保障持久戰(zhàn)力

因?yàn)榈壠骷昧吮容^先進(jìn)的封裝設(shè)計(jì)，熱量可以直接通過器件頂部外殼散出去，相較于常規(guī)mos通過底部焊盤鋪銅，更容易進(jìn)行散熱處理；同時(shí)還能避免讓熱量跑到敏感的PCB板里，熱管理滿分升級(jí)！

世強(qiáng)用FlothermXT做了熱仿真，給GaN加了單組份導(dǎo)熱凝膠后，功率部分滿載溫度從134℃直接降到68℃，足足降了一半！這個(gè)時(shí)候機(jī)器人關(guān)節(jié)還能保持涼爽，動(dòng)力強(qiáng)勁還不累，長(zhǎng)時(shí)間高強(qiáng)度運(yùn)行完全沒壓力！

↑傳統(tǒng)散熱方式，溫度超過130°

↑GaN加單組份導(dǎo)熱凝膠之后

↑功率部分滿載溫度從134℃降到68℃

世強(qiáng)氮化鎵關(guān)節(jié)電機(jī)方案，憑借 24bit精準(zhǔn)角度采集、EtherCAT百兆通信速率、GaN百kHz超快驅(qū)動(dòng)頻率、511W頂級(jí)能效的核心優(yōu)勢(shì)，讓機(jī)器人反應(yīng)更快、動(dòng)作更穩(wěn)、力氣更大、跑得更遠(yuǎn)。

除此之外，世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)為機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)提供從方案設(shè)計(jì)、技術(shù)支持到采購的一站式服務(wù)。除GaN智能關(guān)節(jié)外，平臺(tái)還提供無框力矩/空心杯電機(jī)、靈巧手觸覺，關(guān)節(jié)位置傳感等方案和產(chǎn)品，以及散熱設(shè)計(jì)仿真等服務(wù)。登錄世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)搜索關(guān)鍵詞“GaN智能關(guān)節(jié)"獲取更多方案資料。

審核編輯 黃宇