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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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淺析現(xiàn)代半導體產(chǎn)業(yè)中常用的半導體材料
半導體材料是半導體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計算機芯片的基礎(chǔ)。半導體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導體產(chǎn)業(yè)中常用的半導...
智融科技是國內(nèi)較早進入高集成移動電源快充SOC芯片設(shè)計領(lǐng)域的公司之一，所推出的移動電源芯片具有接口支持多，協(xié)議支持全面，內(nèi)部集成開關(guān)管等控制邏輯，支持數(shù)...
初級主控芯片來自智融，型號為SW1106，是一顆支持增強型氮化鎵開關(guān)管直驅(qū)的高頻反激準諧振控制器，芯片內(nèi)部集成氮化鎵驅(qū)動器，驅(qū)動電壓為6V，可直接驅(qū)動增...
2022-09-13 標簽：氮化鎵 2.4k 0
GaN將徹底改變數(shù)據(jù)中心電源 數(shù)據(jù)中心市場是下一個角逐點
高可靠性，高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團（Bel Group）聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個Transphorm的...
2021-01-22 標簽：功率轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2.4k 0
叉車應(yīng)用的逆變器由 24 V 至 120 V 之間的直流電壓供電，可提供高達 900 ARMS 電機相電流。通常，每個生產(chǎn)商都有一個平臺方法，并銷售按電...
在第 8 部分，我們將探討隔離式 DC/DC 電路的共模噪聲抑制方法。工作在高輸入電壓下的轉(zhuǎn)換器（例如，電動汽車車載充電系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)和射頻功放...
2023-03-29 標簽：電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 2.3k 0
通常來講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應(yīng)擴大。因為內(nèi)置GaN芯片的使用，快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點，所以快充充電器比...
Texas Instruments PFC23338EVM-107評估主板數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments PFC23338EVM-107評估主板是一款基于氮化鎵(GaN)的3.6kW單相連續(xù)導通模式(CCM)圖騰柱無橋功率...
2025-07-05 標簽：轉(zhuǎn)換器主板氮化鎵 2.3k 0
聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問題
熱設(shè)計是一個至關(guān)重要的課題，其中的各種規(guī)則、縮略語和復雜方程時常讓人感到它似乎是個深不可測的神秘領(lǐng)域；
? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅（SiC...
在上周的推文中，我們回顧了半導體材料發(fā)展的前兩個階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了...
氮化鎵（GaN）寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計
隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術(shù)的時機已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...
氮化鎵功率芯片功率曲線分析 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實...
同步整流芯片U7714是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7714內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需...
隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展，氮化鎵也應(yīng)用在了很多新興領(lǐng)域，充電頭網(wǎng)此次選取了手機、車充、PC電源、服務(wù)器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場景，幫助大家掌握...
VIPERGAN50是VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達50 W功率的產(chǎn)品。這也是我們首款采用氮化鎵(GaN)晶體管...
?TPS7H60x5系列輻射硬化保證型GaN FET柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔摘要
TPS7H60x5 系列抗輻射性 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括TP...
2025-09-26 標簽：FET場效應(yīng)晶體管氮化鎵 2.2k 0
氮化鎵開關(guān)管是一種新型的半導體器件，適用于高頻高壓控制信號的開關(guān)應(yīng)用。它由四個電極組成，包括柵極（G，Gate）、源極（S，Source）、漏極（D，D...
一種是通過生長碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質(zhì)外延...
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