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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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如何對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕
氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體，已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開(kāi)發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)...
深度拆解：納微NV6136A助力打造聯(lián)想超薄餅干65W氮化鎵充電器
同時(shí)充電器具有65W主流輸出功率，功率密度高達(dá)1.39W/cm3，并且兼容PD3.0、QC3.0以及PPS三大快充協(xié)議，成為快充界的“卷王擔(dān)當(dāng)”。下面來(lái)...
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個(gè)頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更...
氮化鎵（GaN）是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體，其開(kāi)關(guān)速度比硅元件快20倍，并且可以處理高達(dá)三倍的功率密度。如果在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的PFC和轉(zhuǎn)換器級(jí)中使用GaN開(kāi)關(guān)...
2023-04-04 標(biāo)簽：氮化鎵GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 2.6k 0
氮化鎵（GaN） 是由氮和鎵組成的一種半導(dǎo)體材料，因?yàn)槠浣麕挾却笥?.2eV，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器...
2023-02-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 2.6k 0
電子元件是電子設(shè)備和系統(tǒng)產(chǎn)品的最基本組成部分，其性能和可靠性對(duì)電子設(shè)備和系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行至關(guān)重要。
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)...
2023-02-10 標(biāo)簽：無(wú)線通信氮化鎵半導(dǎo)體制造 2.6k 0
GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用
GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。
氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導(dǎo)體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，很高的熱導(dǎo)率和非常好的物理、化學(xué)穩(wěn)定性。正因其各方面都有著非常好的...
2023-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體芯片GaN技術(shù) 2.5k 0
大多數(shù)iii\-氮化物的蝕刻目前是通過(guò)干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性，包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力，但干蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子致?lián)p...
氮化鎵晶體管型號(hào)參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來(lái)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及...
氮化鎵快充的優(yōu)勢(shì)無(wú)需多言，市場(chǎng)需求足可以證明一切。也有小伙伴一直在關(guān)注普通充電器這塊，主要是因?yàn)槠粘?兼容性強(qiáng)，幾乎所有設(shè)備（包括老舊手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)等）...
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通...
GaN 是一種優(yōu)異的直接帶隙半導(dǎo)體材料，室溫下禁帶寬度為3.4 eV，具有優(yōu)良的光電性能、熱穩(wěn)定性及化學(xué)穩(wěn)定性，是制作高亮度藍(lán)綠發(fā)光二極管( LED) ...
如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來(lái)電子產(chǎn)品在高...
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物，化學(xué)式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是...
簡(jiǎn)單回顧氮化鎵與硅基MOS管相比，氮化鎵結(jié)構(gòu)的特性。然后從消費(fèi)類(lèi)、工業(yè)領(lǐng)域以及汽車(chē)領(lǐng)域介紹了氮化鎵器件的應(yīng)用技術(shù)情況，重點(diǎn)介紹了氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域...
幾種led襯底的主要特性對(duì)比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中，襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延...
氮化鎵是半導(dǎo)體與微電子產(chǎn)業(yè)的新星，其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性。業(yè)界已經(jīng)公認(rèn)氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件產(chǎn)品將統(tǒng)治微波放大...
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