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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用...
2024-01-09 標(biāo)簽：功率放大器電子設(shè)備半導(dǎo)體技術(shù) 3.5k 0
作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化鎵（GaN）功率器件已投入生產(chǎn)10多年，除了性能和成本方...
線性S參數(shù)數(shù)據(jù)與非線性數(shù)據(jù)相結(jié)合的RF放大器模型結(jié)構(gòu)解析
傳統(tǒng)上，線性和非線性RF電路仿真占據(jù)了不同領(lǐng)域。為了仿真級聯(lián)小信號增益和損耗，RF設(shè)備設(shè)計人員傳統(tǒng)上一直廣泛使用S參數(shù)器件模型。由于缺乏數(shù)字形式的數(shù)據(jù)（...
2020-12-21 標(biāo)簽：放大器氮化鎵模擬系統(tǒng) 3.5k 0
【全套國產(chǎn)芯片】亞成微65W高功率密度氮化鎵快充參考設(shè)計評測
對亞成微 65W氮化鎵快充參考設(shè)計進(jìn)行溫升測試，在溫度約為25℃的恒溫箱內(nèi)以 功率持續(xù)輸出1小時，測得該方案正面最高溫度約為108℃，最高溫度點出現(xiàn)在變...
氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片，它們在性能、應(yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個方面詳細(xì)比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點和...
提高能效一直是電源制造商的一個長期目標(biāo)。這是真正的“雙贏”，因為這不僅降低運行成本，而且減少了以熱的形式浪費能量，意味著需要更少的散熱管理，從而減小了電...
具有保護(hù)功能的GaN器件實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計的挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
2020-12-20 標(biāo)簽：開關(guān)電源場效應(yīng)晶體管氮化鎵 3.5k 0
隨著信息技術(shù)和通信領(lǐng)域的不斷發(fā)展，對高性能芯片的需求也越來越大。作為半導(dǎo)體材料中的重要組成部分，氮化鎵芯片因其優(yōu)異的性能在近年來受到了廣泛關(guān)注。本文將詳...
2024-01-10 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.5k 0
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充...
氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定...
設(shè)計大電流，高開關(guān)頻率同步降壓電路時，要想設(shè)計一個穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，PCB布局顯得尤為重要。同步整流ic U7110W設(shè)計同步整流電路時建議參考下圖的內(nèi)容...
解讀納微電機驅(qū)動專用型GaNSense氮化鎵功率芯片
據(jù)估計，電動機和驅(qū)動器消耗的電力約占全球總發(fā)電量的 45%，相當(dāng)于每年超過 12,000 太瓦時（TWh）的電力，約為全球最大的新疆 5GW 太陽能發(fā)電...
氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發(fā)的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛采用。在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢也推動...
進(jìn)入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...
2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3.3k 0
PFC開關(guān)管來自納微，型號NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內(nèi)置驅(qū)動器以及高精度無損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內(nèi)置...
氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）管驅(qū)動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。...
倍思氮化鎵充電器是一款優(yōu)秀的充電器，具有高效、快速、安全、環(huán)保等優(yōu)點。下面我們將詳細(xì)介紹倍思氮化鎵充電器的優(yōu)缺點、使用體驗和與其他產(chǎn)品的比較，幫助您更好...
氮化鎵不僅受到近距離無線充電的歡迎，比如高合汽車采用GaN無線充電，而且遠(yuǎn)距離無線輸電也在采用氮化鎵技術(shù)。
如何最大限度地擴大基于氮化鎵 (GaN) 功率放大器的雷達(dá)系統(tǒng)的探測距離
雷達(dá)已成為軍事監(jiān)視、空中交通管制、太空任務(wù)和汽車安全等無數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域不可或缺的設(shè)備。對于設(shè)計人員來說，最具挑戰(zhàn)性的情況是遠(yuǎn)程雷達(dá)，因為在這種情況下，返回信...
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