氮化鎵外延片的工藝及分類介紹

通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長(zhǎng)的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。

2023-02-12 標(biāo)簽：LED芯片氮化鎵MOCVD 4.1k 0

基于GaN微絲陣列的UV金屬半導(dǎo)體探測(cè)器

華南師范大學(xué)和北京大學(xué)在（100）硅上開發(fā)了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導(dǎo)體 - 金屬（MSM）探測(cè)器。

2018-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 4.1k 0

基于GaN器件的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案

氮化鎵（GaN）器件具有類似硅的電性能，可以由硅MOSFET設(shè)計(jì)中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)。

2022-07-12 標(biāo)簽：MOSFET氮化鎵GaN 4.1k 0

氮化鎵芯片應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

相對(duì)于硅材料，使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質(zhì)量、體積以及生命周期成本，允許設(shè)備在更高的溫度、電...

2023-02-05 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 4k 0

相同功率氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

相同功率的氮化鎵充電器與普通充電器之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別。氮化鎵充電器是一種新興的充電器技術(shù)，其采用了氮化鎵半導(dǎo)體材料來提供電源。相比之下，普通充電器...

2024-01-10 標(biāo)簽：電阻充電器氮化鎵 4k 0

氮化鎵半導(dǎo)體屬于金屬材料嗎

氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體高電壓氮化鎵 4k 0

氮化鎵mos管型號(hào)有哪些

氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的...

2024-01-10 標(biāo)簽：電阻MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4k 0

在氮化鎵外延結(jié)構(gòu)中首次實(shí)現(xiàn)了垂直溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

雖然晶體管沒有夾斷，但柵極電位確實(shí)調(diào)制了漏極電流（高達(dá)1.8倍，柵極為-10V，圖2）。根據(jù)模擬，夾斷發(fā)生在-112V左右。將其放在一位數(shù)范圍內(nèi)需要縮小...

2018-12-13 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 4k 0

晶體管的主要材料有哪些

晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料，這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間，具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體...

2024-08-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.9k 0

氮化鎵用途和性質(zhì)

氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。

2023-02-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.9k 0

oppo氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

OPPO 氮化鎵充電器和普通充電器之間有很多區(qū)別。在本文中，我將詳細(xì)講解這兩種充電器的區(qū)別，包括技術(shù)原理、充電速度、耐用性以及兼容性等方面。 一、技術(shù)原...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器OPPO 3.8k 0

硅基氮化鎵IC是如何制成的？重新定義電源轉(zhuǎn)換

隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對(duì)這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應(yīng)用。

2020-11-19 標(biāo)簽：MOSFET晶體管氮化鎵 3.8k 0