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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)...
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體，用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵（AlGaN）薄層并在界面施加應(yīng)力，從而產(chǎn)生二維電子氣（...
在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件（例如MOSFET）無法為其激光驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制，MOSFET的溝道必須很大，這會(huì)導(dǎo)致寄生電容...
什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應(yīng)用對比
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...
氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有很多優(yōu)點(diǎn)和一些缺點(diǎn)。以下是關(guān)于氮化鎵芯片的詳細(xì)介紹。 優(yōu)點(diǎn)： 1.高頻率特性：GaN芯片具有優(yōu)秀的高...
而GaN技術(shù)可以做到，因?yàn)樗悄壳叭蜃羁斓墓β书_關(guān)器件，并且可以在高速開關(guān)的情況下仍保持高效率水平，能夠應(yīng)用于更小的元件，應(yīng)用于充電器時(shí)可以有效縮小產(chǎn)...
2019-01-24 標(biāo)簽：充電器氮化鎵半導(dǎo)體器件 5.7k 0
氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應(yīng)用領(lǐng)域
第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢。因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)...
2023-02-05 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵半導(dǎo)體器件 5.6k 0
采用NV611X系列氮化鎵（GaN）進(jìn)行電源設(shè)計(jì)熱處理及PCB layout 注意事項(xiàng)
介紹 GaN功率集成電路提供超低電容，優(yōu)良的開關(guān)特性，低RDS（ON），封裝在一個(gè)小QFN封裝里。這些特性使GaN非常適合在高頻下工作，并支持高密度電源...
華為氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多差異。氮化鎵（GaN）技術(shù)是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，GaN具有更高的能效和更小的尺寸。華為作為一...
氮化鎵襯底和外延片哪個(gè)技術(shù)高 襯底為什么要做外延層
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、...
2023-08-22 標(biāo)簽：功率放大器半導(dǎo)體材料氮化鎵 5.5k 1
氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵...
氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技...
發(fā)光二極管是由什么材料制成的 發(fā)光二極管是半導(dǎo)體嗎
發(fā)光二極管（Light Emitting Diode，LED）是一種電子器件，可以將電能轉(zhuǎn)化為可見光。它由半導(dǎo)體材料制成，是一種先進(jìn)的光電器件。本文將詳...
作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢。
20世紀(jì)40年代后，傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無機(jī)非金屬材料，與有機(jī)聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無機(jī)非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素?zé)?..
氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢...
基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系
電機(jī)是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動(dòng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個(gè)市場非常保守，適應(yīng)新技術(shù)的速度很...
電信和國防市場推動(dòng)射頻氮化鎵（RF GaN）應(yīng)用
自從20年前第一批商用產(chǎn)品問世，GaN在射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域已成為LDMOS和GaAs的重要競爭對手，并且，正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN...
氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片，它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造高精度的零件和...
LED屏的七大分類方式 關(guān)于LED屏的16個(gè)小知識
雙基色LED顯示屏由紅色和綠色LED燈組成，256級灰度的雙基色顯示屏可顯示65，536種顏色（雙色屏可顯示紅、綠、黃3種顏色）。全彩色LED顯示屏由紅...
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