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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目...
實現(xiàn)超高功效的新一代非對稱型Doherty放大器QPD2731
該新一代碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）解決方案在單個封裝中采用兩個晶體管，可最大限度提高線性度、效率和增益，并最終降低運營成本。
砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化...
基于GaN固態(tài)放大器可實現(xiàn)的應(yīng)用設(shè)計
以前，GaN還是反射頻電子戰(zhàn)(CREW)應(yīng)用的首選技術(shù)； 現(xiàn)在，GaN已被部署到機載電子戰(zhàn)領(lǐng)域； 未來，GaN將會越來越多的用于工作在毫米波頻率的系統(tǒng)。
采用LDR6282的PD協(xié)議芯片的充電+拓展+投屏三合一的Type-C適配器拆解
雙口DRP USB PD Controller LDR6282，順利通過了USB-IF的PD3.0認(rèn)證，TID: 2127。LDR6282芯片具有雙C口...
隨著碳化硅、氮化鎵等高開關(guān)頻率器件的逐漸引入，工程師在調(diào)試過程中的測試需求越來越高，此時的高頻信號經(jīng)常會導(dǎo)致使用不同的儀器測試結(jié)果都不一樣情況，到底是哪...
小米氮化鎵充電器是一種新型充電器，它與傳統(tǒng)的普通充電器在多個方面有所不同。在這篇文章中將詳細(xì)討論小米氮化鎵充電器與普通充電器之間的區(qū)別。 首先，小米氮化...
2024-01-10 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 7.9k 0
第三代半導(dǎo)體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發(fā)展推動了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進(jìn)，對封裝基板...
功率氮化鎵技術(shù)及電源應(yīng)用熱管理設(shè)計挑戰(zhàn)
在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術(shù)之后，市場上出現(xiàn)了許多趨勢，這些市場朝著R DS（開啟），更好的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM）和更低的電容方...
除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN ...
在實際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件(例如MOSFET)無法為其激光驅(qū)動器實現(xiàn)提供必要的性能。為了增強控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導(dǎo)致寄生電容...
GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2023-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 7.6k 0
采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應(yīng)用及優(yōu)勢介紹
1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應(yīng)用及優(yōu)勢
什么是氮化鎵(GaN)？GaN的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因為我們離不開電源。
2023-11-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率開關(guān)氮化鎵 7.4k 0
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參...
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout
采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout 作者 ：馬坤 郵箱：kuner0806@163.com NV611X系列 半橋應(yīng)用電路圖...
氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域
從消費類、工業(yè)領(lǐng)域以及汽車領(lǐng)域介紹了氮化鎵器件的應(yīng)用技術(shù)情況，重點介紹了氮化鎵當(dāng)前的主要應(yīng)用領(lǐng)域，消費類快充以及汽車領(lǐng)域的OBC。
東微半導(dǎo)體超級硅MOSFET系列產(chǎn)品，可取代了氮化鎵高能效要求
東微半導(dǎo)體的GreenMOS系列產(chǎn)品是國內(nèi)最早量產(chǎn)并進(jìn)入工業(yè)級應(yīng)用的高壓超級結(jié)產(chǎn)品系列，在國產(chǎn)品牌中占有領(lǐng)先地位，廣泛應(yīng)用于充電樁模塊，通訊電源等大功率...
氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配...
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