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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。
幾十年來，硅一直主導(dǎo)著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導(dǎo)體已被開發(fā)出來，提供獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如，有了化合物半...
氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電...
GaN功率電子分立器件產(chǎn)品類型的簡(jiǎn)介以及其特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)分析
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。氮化鎵具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)...
整理了市面上發(fā)售的氮化鎵GaN 充電器產(chǎn)品。一波是采用PI的主控芯片，PI芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用納微GaN產(chǎn)品（QR／ACF＋N...
氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定...
雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力，但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的挑戰(zhàn)，使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個(gè)主要因素是成本。目前，GaN的制造...
硅基氮化鎵外延生長(zhǎng)是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極...
氮化鎵充電器有什么優(yōu)點(diǎn)？拆解倍思120W氮化鎵充電器,從內(nèi)部來看這個(gè)充電器如何?
倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN）+碳化硅（SiC) 充電器。 有2個(gè)USB Type-C輸出接口和1個(gè)USB Type-A輸出接...
最近，麻省理工學(xué)院（MIT）、半導(dǎo)體公司IQE、哥倫比亞大學(xué)、IBM以及新加坡MIT研究與技術(shù)聯(lián)盟的科研人員展示出一項(xiàng)新型設(shè)計(jì)，讓氮化鎵功率器件處理的電...
2018-01-04 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換晶體管氮化鎵 1.2萬 0
氮化鎵充電器和原裝充電器是兩種不同類型的充電器，它們的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)都有所不同。要判斷哪種更好，需要從不同的角度進(jìn)行比較和分析。 首先，從充電效率方面來看。...
氮化鎵(GaN)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用領(lǐng)域
氮化鎵 (GaN) 晶體管于 20 世紀(jì) 90 年代亮相，目前廣泛應(yīng)用于商業(yè)和國(guó)防領(lǐng)域，但工程應(yīng)用可能大相徑庭。不相信?可以理解。但在您閱讀本書之后，可...
工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向?qū)ǎ堑降子羞€是沒有體二極管？
隨著技術(shù)的發(fā)展，終端設(shè)備對(duì)于半導(dǎo)體器件性能、效率、小型化要求的越來越高，特別是隨著5G的即將到來，也進(jìn)一步推動(dòng)了以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材...
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...
通過種種信息，我們應(yīng)該都能發(fā)現(xiàn)，氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場(chǎng)持平，而且，氮化鎵充電器是近幾年新開發(fā)出來的，從剛開始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的14...
氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵功率器件的可靠性分析
氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設(shè)備功率的器件，它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器...
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...
氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)難點(diǎn) 氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)優(yōu)點(diǎn)
GaN器件具有高功率密度和高熱耗散特性。在有源相控陣?yán)走_(dá)中，需要高功率的射頻信號(hào)來驅(qū)動(dòng)每個(gè)天線元素，這要求對(duì)高功率GaN器件的射頻功率和熱管理進(jìn)行有效的...
氮化鎵充電器和普通充電器對(duì)比各有優(yōu)勢(shì)，不能直接判定哪個(gè)更好，氮化鎵充電器和普通充電器是兩種不同的充電設(shè)備，它們?cè)诔潆娝俣取踩?、穩(wěn)定性等方面都存在差異...
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