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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體,具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能,滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求,智...
氮化鎵復(fù)合物由鎵和氮原子排列構(gòu)成,最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)(圖1-1)是一種六邊形結(jié)構(gòu),其特征是有兩個晶格常數(shù)(圖中標記為a 和 c)。
系統(tǒng)級熱設(shè)計對于DC / DC轉(zhuǎn)換器的電氣規(guī)格同樣重要。越來越多的分布式電源架構(gòu)(DPA)使用增加了熱設(shè)計的復(fù)雜性。
2021-01-20 標簽:熱敏電阻DC-DC轉(zhuǎn)換器氮化鎵 6.9k 0
為什么選擇氮化鎵?淺談氮化鎵在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用
對于服務(wù)器,這通常是空調(diào)房間中的AC到12 V DC,而對于傳統(tǒng)的低功能(例如,僅語音)電信系統(tǒng),這是遠程潮濕的“蜂窩塔”,需要AC進行“防腐蝕” ,負...
2021-03-21 標簽:電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 6.6k 0
氮化鎵是一種無機物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體, 氮化鎵主要還是用于LED(發(fā)光二極管),微...
氮化鎵(GaN)和砷化鎵(GaAs)都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員,它們在各自的應(yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而,要判斷哪個更先進,并不是一個簡單的二...
2024-09-02 標簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 6.5k 0
氮化鎵(氮化鎵)是一種半導(dǎo)體材料,是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優(yōu)點是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統(tǒng)。與硅基解決方案相比...
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單,單元...
碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)應(yīng)用差異在哪里?
SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點:
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管...
氮化鎵器件在D類音頻功放中的應(yīng)用及優(yōu)勢
本文檔介紹了D類音頻功放的典型設(shè)計,概述了氮化鎵器件在D類音頻功放中的基礎(chǔ)應(yīng)用,并簡單介紹了氮化鎵器件在D類音頻功放設(shè)計中,相較于硅基器件所帶來的優(yōu)勢。
新能源車的功率控制單元(PCU)是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng),管理電池中的電能與電機之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成,強電流與高壓...
在氮化鎵技術(shù)中,熱設(shè)計與電氣設(shè)計同等重要
為管理今天的熱設(shè)計,電路設(shè)計人員讓熱量在半導(dǎo)體表面擴散,增加器件單元之間的距離或縮小器件單元。但是,熱設(shè)計不僅僅是芯片層面。封裝工程人員也必須幫忙,因為...
納微雙向氮化鎵開關(guān)和IsoFast高速驅(qū)動器實現(xiàn)單級變換新范式
如今,超過70%的高壓功率變換器采用 “兩級” 硅基拓撲結(jié)構(gòu)。例如,典型的AC-DC電動汽車車載充電機(OBC)會先配置PFC級,再串聯(lián)DC-DC級,中...
氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料,屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里,氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料,受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的...
2024-01-10 標簽:晶體光電器件半導(dǎo)體材料 6.2k 0
現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 電源設(shè)計
為了擴大 GaN 在汽車、并網(wǎng)存儲和太陽能等新應(yīng)用中的應(yīng)用(圖 3),TI 正在展示其自己的對流冷卻、900V、5kW 雙向 AC/DC 平臺。 該平臺...
意法半導(dǎo)體首款氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器瞄準下一代50W高能效電源設(shè)計
VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達50?W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...
2022-05-12 標簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體氮化鎵 6k 0
氮化鎵技術(shù)研究新進展,如何作為“電力電子應(yīng)用中敏感探針”使用?
美國康奈爾大學(xué),IQE RF LLC和Qorvo公司一直在研究如何更好地將埋入式p型GaN層活化 [Wenshen Li et al, Appl. Ph...
基于德州儀器LMH13000打造下一代激光雷達系統(tǒng)
人類駕駛汽車已有一百多年歷史,但安全記錄卻不盡如人意。盡管如今的車輛比以往任何時候都更安全,但在世界許多地區(qū),汽車事故和傷亡人數(shù)仍在不斷上升。這一趨勢在...
移動通信標準5G開發(fā)基于氮化鎵(GaN)的經(jīng)濟高效的高性能技術(shù)
基站是蜂窩網(wǎng)絡(luò)的連接點。它們記錄無線電小區(qū)的傳輸數(shù)據(jù)并將其傳遞。為了確保未來毫米波頻段內(nèi)的數(shù)據(jù)泛濫,基站技術(shù)需要滿足兩個標準:輸出功率需要提高,同時保持...
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