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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶...
2025-07-25 標(biāo)簽：氮化鎵功率級(jí)開(kāi)關(guān)模式電源 3.8k 0
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通...
芯片的腳位是指芯片與電路板或其他芯片之間進(jìn)行連接的引腳。引腳可以傳輸數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)，還用于為芯片提供電源和接地。今天重點(diǎn)介紹的是深圳銀聯(lián)寶氮化鎵電源...
氮化鎵半導(dǎo)體器件特性 氮化鎵半導(dǎo)體器件有哪些
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以...
2023-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體 3.7k 0
近年來(lái)，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。
氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)良的電學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產(chǎn)工藝中，主要包括以下幾個(gè)方面：材料準(zhǔn)備、芯...
2024-01-10 標(biāo)簽：芯片電子器件半導(dǎo)體材料 3.7k 0
傳統(tǒng)的電源轉(zhuǎn)換解決方案通過(guò)增加開(kāi)關(guān)頻率以允許使用更小的變壓器來(lái)減小電源的尺寸。
2021-03-27 標(biāo)簽：變壓器轉(zhuǎn)換器氮化鎵 3.7k 0
傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳...
觀看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天與國(guó)防業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理）的訪談，了解氮化...
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化
33W氮化鎵電源芯片U8733L布局合理減少干擾散熱優(yōu)化電源芯片的引腳在布局布線時(shí)，應(yīng)當(dāng)避免與其他信號(hào)線路平行敷設(shè)，以降低電磁干擾。根據(jù)芯片引腳功能和信...
通過(guò)100V增強(qiáng)型氮化鎵晶體管實(shí)現(xiàn)直直變換器設(shè)計(jì)方案
在當(dāng)今的架構(gòu)中，通過(guò)采用12V的背板，工業(yè)界能夠使用具有非常好的品質(zhì)因數(shù)特性的40V MOSFET 來(lái)滿足高開(kāi)關(guān)頻率，傳輸高效率以及高功率密度。
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品， 可以讓客戶提高整機(jī)效率， 并且溫度也隨之下降， 效率提升之外， 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
高通公司總裁 Cristiano Amon 在2018 高通 4G / 5G 峰會(huì)上表示：預(yù)計(jì)明年上半年和年底圣誕新年檔期將會(huì)是兩波 5G 手機(jī)上市潮，...
C2000?實(shí)時(shí)微控制器 （MCU）應(yīng)對(duì)GaN 開(kāi)關(guān)挑戰(zhàn)
與碳化硅 （SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 （GaN） 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） 可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...
基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺(tái)的顛覆性3D LED技術(shù)
Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來(lái)，開(kāi)發(fā)了一種基于標(biāo)準(zhǔn)200mm Si平臺(tái)的顛覆性3D?LED技術(shù)，與傳統(tǒng)的2D?LED技術(shù)相比，這將降...
氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)...
提供精確測(cè)量磁芯損耗的能力對(duì)于磁設(shè)計(jì)和熱設(shè)計(jì)具有重要意義。由于碳化硅和氮化鎵等能夠在越來(lái)越高的頻率下運(yùn)行的新半導(dǎo)體技術(shù)的引入，該主題變得越來(lái)越重要。這些...
基于氮化鎵的高頻圖騰柱PFC優(yōu)化設(shè)計(jì)
眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統(tǒng)提高頻率運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率帶來(lái)可能。然而，在高頻下需要對(duì)EMI性能進(jìn)行評(píng)估以滿足EMC法規(guī)（例如EN55...
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