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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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利用氮化鎵場效應(yīng)晶體管和LM5113半橋驅(qū)動器實現(xiàn)的功率及效率
但如何能夠產(chǎn)生所要求的快速變化、帶寬處于數(shù)十兆赫茲（MHz）范圍的供電電壓？我們可以通過不同的方法來實現(xiàn)。其中一個方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...
工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰？
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體，是因為...
制造大直徑GaN襯底的要點（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導(dǎo)體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。
2022-11-18 標(biāo)簽：氮化鎵 3.1k 0
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢
設(shè)計出色功效的電子應(yīng)用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...
2023-10-12 標(biāo)簽：SiC氮化鎵電子開關(guān) 3.1k 1
硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開關(guān)中，如電源、電機(jī)控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...
2023-11-09 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 3.1k 0
SIC比SI有什么優(yōu)勢？碳化硅優(yōu)勢的實際應(yīng)用
SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優(yōu)點結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C...
基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計
基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點，其現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心和集中于低至1VDC負(fù)載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構(gòu)解決方案。
2021-01-20 標(biāo)簽：服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 3k 0
可換成氮化鎵就不一樣了，單車變轎車，開關(guān)頻率得到大幅提升，損耗還更小。如此一來，充電器就能用上體積更小的變壓器、電容、電感。。。。。。從而有效縮小充電器...
氮化鎵集成電路縮小電動自行車和無人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動器
基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計EPC9173無論是在尺寸、性能、續(xù)航里程、精度和扭矩方面，優(yōu)化了電機(jī)系統(tǒng)且簡化設(shè)計和加快產(chǎn)品推出市場的時間。我們可以把這...
2022-06-06 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵電機(jī)驅(qū)動器 3k 0
氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關(guān)...
DC/DC轉(zhuǎn)換器 EMI的工程師指南-第1部分，規(guī)范和測量
多數(shù)電源應(yīng)用必須減少電磁干擾 （EMI） 以滿足相關(guān)要求，系統(tǒng)設(shè)計人員必須嘗試各種方法來減少傳導(dǎo)和輻射發(fā)射。
2019-08-09 標(biāo)簽：emiDC-DC轉(zhuǎn)換器電磁干擾 3k 0
為何及如何將氮化鎵場效應(yīng)晶體管用于高效、高電壓、開關(guān)模式電源應(yīng)用
作者：Art Pini 投稿人：DigiKey 北美編輯 面對社會和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通...
近幾十年來，電力電子設(shè)備發(fā)展迅速，主要是由于半導(dǎo)體開關(guān)速度越來越快，這使得設(shè)計更小的電力存儲組件（如電容器和電感）成為可能。結(jié)合更高的效率，這可以實現(xiàn)更...
GaN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，...
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體，其具有更...
引言 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，被廣泛...
2024-09-02 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 3k 0
氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛...
2024-01-10 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.9k 0
調(diào)節(jié)氮化鎵熱量實現(xiàn)高溫穩(wěn)定性的MEMS諧振器
盡管基于硅的MEMS諧振器實現(xiàn)了高的時間分辨率，并且具有較小的相位噪聲和更理想的集成能力，但是它在較高溫度下不穩(wěn)定。
高效氮化鎵電源設(shè)計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計中實現(xiàn)高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，...
安森美半導(dǎo)體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效
氮化鎵(GaN)，作為時下新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢。與硅器件相比，GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實現(xiàn)了性能的飛躍，廣泛應(yīng)用于功率因數(shù)...
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