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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的精度提升策略

摘要本文針對(duì)激光干涉法在碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中存在的精度問(wèn)題，深入分析影響測(cè)量精度的因素，從設(shè)備優(yōu)化、環(huán)境控制、數(shù)據(jù)處理等多個(gè)維度提出精度提升...

2025-08-12 標(biāo)簽：晶圓測(cè)量碳化硅 568 0

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量設(shè)備的日常維護(hù)與故障排查

摘要本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量設(shè)備，詳細(xì)探討其日常維護(hù)要點(diǎn)與故障排查方法，旨在通過(guò)科學(xué)的維護(hù)管理和高效的故障處理，保障測(cè)量設(shè)備的穩(wěn)定性與測(cè)量...

2025-08-11 標(biāo)簽：測(cè)量設(shè)備碳化硅 419 0

碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量方法的優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比評(píng)測(cè)

摘要本文對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量的多種方法進(jìn)行系統(tǒng)性研究，深入對(duì)比分析原子力顯微鏡測(cè)量法、光學(xué)測(cè)量法、X 射線(xiàn)衍射測(cè)量法等在測(cè)量精度、效率、成本...

2025-08-09 標(biāo)簽：晶圓測(cè)量碳化硅 693 0

【新啟航】如何解決碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中的各向異性干擾問(wèn)題

摘要本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中各向異性帶來(lái)的干擾問(wèn)題展開(kāi)研究，深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理，提出多種解決策略，旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)...

2025-08-08 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟 493 0

聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化機(jī)理及預(yù)警

摘要本文圍繞半導(dǎo)體晶圓研磨工藝，深入剖析聚氨酯研磨墊磨損狀態(tài)與晶圓 TTV 均勻性的退化關(guān)系，探究其退化機(jī)理，并提出相應(yīng)的預(yù)警方法，為保障晶圓研磨質(zhì)量...

2025-08-05 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟 530 0

一文探究SiC MOSFET的短路魯棒性

SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)勢(shì)，在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而，SiC MOSFET面臨的...

2025-08-04 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 2.5k 0

梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備及其對(duì)晶圓 TTV 均勻性的提升

摘要本文聚焦半導(dǎo)體晶圓研磨工藝，介紹梯度結(jié)構(gòu)聚氨酯研磨墊的制備方法，深入探究其對(duì)晶圓總厚度變化（TTV）均勻性的提升作用，為提高晶圓研磨質(zhì)量提供新的技...

2025-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 511 0

切割液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與晶圓 TTV 預(yù)測(cè)模型的協(xié)同構(gòu)建

摘要本論文圍繞超薄晶圓切割工藝，探討切割液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與晶圓 TTV 預(yù)測(cè)模型的協(xié)同構(gòu)建，闡述兩者協(xié)同在保障晶圓切割質(zhì)量、提升 TTV 均勻性方面...

2025-07-31 標(biāo)簽：晶圓調(diào)控系統(tǒng)碳化硅 254 0

切割液性能 - 切削區(qū)多物理場(chǎng)耦合對(duì)晶圓 TTV 均勻性的影響及調(diào)控

摘要：本文針對(duì)晶圓切割過(guò)程，研究切割液性能與切削區(qū)多物理場(chǎng)耦合作用對(duì)晶圓 TTV 均勻性的影響機(jī)制，并探索相應(yīng)調(diào)控策略。通過(guò)分析切割液性能在熱、力、流等...

2025-07-29 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 228 0

工業(yè)充電器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選型分析

小到電動(dòng)工具、割草機(jī)，大到叉車(chē)、托盤(pán)車(chē)及自動(dòng)導(dǎo)引車(chē)等物料搬運(yùn)設(shè)備，電池供電設(shè)備正日益成為工業(yè)和建筑領(lǐng)域的理想選擇。

2025-07-28 標(biāo)簽：充電器安森美 PFC 1.9k 0

基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升與晶圓 TTV 均勻性控制

摘要：本文圍繞基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升及對(duì)晶圓 TTV 均勻性的控制展開(kāi)研究。探討納米流體強(qiáng)化切割液在冷卻、潤(rùn)滑、排屑等性能方面的提升機(jī)制，分析...

2025-07-25 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 269 0

切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)

摘要：本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤(rùn)滑、排屑等性能影響晶圓 TTV 的內(nèi)在機(jī)制，探索實(shí)現(xiàn)多性能協(xié)同...

2025-07-24 標(biāo)簽：晶圓碳化硅 338 0

切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

一、引言在晶圓制造過(guò)程中，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過(guò)程中，受切削力、振動(dòng)、刀具磨損等因素...

2025-07-17 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟 283 0

碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造...

2025-07-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅 650 0

基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)

一、引言在半導(dǎo)體制造中，晶圓總厚度變化（TTV）均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素，而切割過(guò)程產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致晶圓變形，進(jìn)一步惡化 TTV 均勻性...

2025-07-14 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 350 0

晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對(duì) TTV 的影響

一、引言在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多道工藝通過(guò)分層切削降低單次切削力...

2025-07-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 275 0

淺切多道切割工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

一、引言在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一，直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過(guò)程中，易因單次切割...

2025-07-11 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 323 0

超薄晶圓切割：振動(dòng)控制與厚度均勻性保障

超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對(duì)性的振動(dòng)控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。 ...

2025-07-09 標(biāo)簽：晶圓切割碳化硅 338 0

基于多物理場(chǎng)耦合的晶圓切割振動(dòng)控制與厚度均勻性提升

一、引言在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過(guò)程中，熱場(chǎng)、力場(chǎng)、流場(chǎng)等多物理場(chǎng)相互耦合，引發(fā)切割振動(dòng)，嚴(yán)重...

2025-07-07 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟 412 0

碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

一、引言碳化硅（SiC）襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵，其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)決定切割起始位置準(zhǔn)確性，進(jìn)給參數(shù)控制切割過(guò)...

2025-07-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 315 0

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱(chēng)叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶(hù)、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線(xiàn)鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專(zhuān)注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存技術(shù)

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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
美滿(mǎn)電子

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Zynq

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠(chǎng)自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
Kinetis

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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32位單片機(jī)

32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
Cortex-A

Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能，例如車(chē)道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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