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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

什么是GaN氮化鎵？GaN有何優(yōu)勢(shì)？

GaN：由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。

2023-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 7.6k 0

探討碳化硅在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

隨著電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、核電、太陽(yáng)能、風(fēng)能等能源領(lǐng)域以及航海、航空、航天、高速軌道交通等技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)功率器件的性能提出了更高的要求。

2018-10-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車碳化硅 7.5k 0

電機(jī)碳化硅技術(shù)的作用與特點(diǎn)

　　電機(jī)碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機(jī)的技術(shù)，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導(dǎo)率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等，來(lái)提高電機(jī)的效率、耐久性和可靠性，從...

2023-02-16 標(biāo)簽：電機(jī)碳化硅 7.5k 0

采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)介紹

1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)

2018-08-17 標(biāo)簽：二極管氮化鎵碳化硅 7.5k 0

SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，具有導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特...

2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體封裝技術(shù) 7.4k 0

半導(dǎo)體材料知識(shí)介紹

硅是最常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料，它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。...

2023-07-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶硅碳化硅 7.4k 0

氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)

　　氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管氮化鎵 7.3k 0

碳化硅跟石墨怎樣分辨？哪個(gè)比較好？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

2023-02-17 標(biāo)簽：SiC 電阻爐碳化硅 7.3k 0

碳化硅的激光切割技術(shù)介紹

晶片切割是半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵步驟，切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本，同時(shí)對(duì)器件制造也有重大影響。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片激光切割技術(shù) 7.2k 0

碳化硅的用途有哪些？碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應(yīng)嗎？

作為金屬脫氧劑，碳化硅脫氧劑是一種新型的強(qiáng)復(fù)合脫氧劑，取代了傳統(tǒng)的硅粉碳粉進(jìn)行脫氧，各項(xiàng)理化性能穩(wěn)定，脫氧效果好，時(shí)間縮短，提高煉鋼效率，提高鋼的質(zhì)量，...

2023-02-27 標(biāo)簽：多晶硅單晶硅碳化硅 6.9k 0

介紹碳化硅產(chǎn)品的應(yīng)用方向和生產(chǎn)過(guò)程

相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開(kāi)關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì)，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開(kāi)始落地碳化硅產(chǎn)品。

2022-10-14 標(biāo)簽：逆變器無(wú)線充電 DCDC電源 6.9k 0

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極...

2020-11-17 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅 6.9k 0

SiC MOSFET的實(shí)時(shí)結(jié)溫監(jiān)控電路測(cè)量方案

本文介紹了一種新穎的測(cè)量電路，以測(cè)量用于測(cè)量SiC MOSFET的實(shí)時(shí)或?qū)嶋H結(jié)溫?？梢钥闯?，出于訂購(gòu)和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的，不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。

2021-04-23 標(biāo)簽：MOSFET 監(jiān)控電路 SiC 6.6k 0

液相法、3C-SiC！中科院又取得新成果

該團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一個(gè)生長(zhǎng)3C-SiC的液相TSSG長(zhǎng)晶設(shè)備，其生長(zhǎng)過(guò)程是這樣的：首先，在高溫石墨坩堝區(qū)域中溶解C粉；然后在對(duì)流作用下，將C粉從高溫區(qū)輸送到低...

2023-04-24 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 6.6k 0

采用碳化硅功率器件的UPS更加高效節(jié)能而冷卻需求卻在下降

合成的碳化硅粉末自1893年以來(lái)已經(jīng)批量生產(chǎn),采用碳化硅制造的IGBT最初的成本很高,但節(jié)能效果也很顯著,而且所有這些都不會(huì)將關(guān)鍵負(fù)荷轉(zhuǎn)移到電網(wǎng)中,不會(huì)...

2018-01-06 標(biāo)簽：ups igbt 碳化硅 6.5k 0

車載充電機(jī)OBC原理及樣機(jī)拆機(jī)分析

該方案由一個(gè)升壓電感器、兩個(gè)高頻升壓 SiC 開(kāi)關(guān)（SiC1 和 SiC2）和兩個(gè)用于在電路上傳導(dǎo)電流的元件組成，線路可以是兩個(gè)慢速二極管。（A）顯示了...

2023-05-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 PFC 碳化硅 6.5k 0

SiC器件不同濕法腐蝕工藝的腐蝕機(jī)理和應(yīng)用領(lǐng)域

SiC 晶體中不同類型的位錯(cuò)通常是根據(jù)腐蝕坑的形貌和尺寸來(lái)完成定量分析的。如圖 7（a）所示，大六邊形沒(méi)有底部的腐蝕坑代表 MP，中六邊形有底部的腐蝕...

2023-03-10 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 6.5k 0

碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

　　SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元...

2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFET SiC 氮化鎵 6.4k 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：

2023-10-09 標(biāo)簽：晶體管 SiC 氮化鎵 6.4k 1

淺談碳化硅陶瓷的各種燒結(jié)技術(shù)

碳化硅作為一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，憑借其優(yōu)異的高溫力學(xué)強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應(yīng)用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換...

2023-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓燒結(jié) 6.4k 0

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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