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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

激光器芯片封裝熱沉的選擇

半導(dǎo)體激光器又稱激光二極管，是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器。具有體積小、壽命長，電光轉(zhuǎn)化效率高、穩(wěn)定性好等優(yōu)點

2023-05-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器激光二極管 5.6k 0

半導(dǎo)體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學(xué)氣相反應(yīng)法(CVR)和化學(xué)氣相沉積法(CVD)。

2023-05-11 標(biāo)簽：SiC GaN 碳化硅 5.6k 0

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會_出席參展今年度SEMICON China 2018

SEMICON China規(guī)模持續(xù)擴大，已是近6年全球最大、影響力最廣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會，匯集全球半導(dǎo)體晶圓廠商共襄盛舉。SEMICON China做為全...

2018-03-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 5.5k 0

終于有人能把IPM模塊工作原理講明白了

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，集成功率模塊(IPM，IntegratedPowerModule)憑借其高集成度和優(yōu)良的性能，廣泛用于電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如電機驅(qū)動...

2024-08-09 標(biāo)簽：功率模塊 IPM 碳化硅 5.5k 0

碳化硅MOSFET的開關(guān)尖峰問題與TVS保護方案

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET因其高效率、高頻率和高溫性能而備受青睞。然而，即使性能卓越，SiC MOSFET在開關(guān)過程中也可能面臨電壓尖...

2024-08-15 標(biāo)簽：MOSFET TVS 碳化硅 5.5k 0

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學(xué)機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度...

2023-05-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝 CMP 5.5k 0

什么是Cu clip封裝？碳化硅功率模塊鍵合方式

功率芯片通過封裝實現(xiàn)與外部電路的連接，其性能的發(fā)揮則依賴著封裝的支持，在大功率場合下通常功率芯片會被封裝為功率模塊進行使用。芯片互連（interconn...

2023-10-24 標(biāo)簽：芯片功率器件碳化硅 5.5k 0

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅，是一種無機物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

2023-02-03 標(biāo)簽：石英 SiC 碳化硅 5.4k 0

深度解讀第三代半導(dǎo)體—碳化硅

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

2024-01-24 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 半導(dǎo)體 5.4k 0

聊聊800V充電樁的充電原理

高壓800V充電系統(tǒng)如上所說的需要增加外部主動的液冷系統(tǒng)，傳統(tǒng)風(fēng)冷無論是主動還是被動冷卻均無法滿足要求，對于充電樁槍線到車端的熱管理也比以往要求更高，...

2023-12-19 標(biāo)簽：電動汽車動力電池充電系統(tǒng) 5.4k 0

什么是SiC功率器件？它有哪些應(yīng)用？

SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異...

2024-09-10 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 5.4k 0

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 5.3k 0

硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點

Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說，MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用，而IGBT更適合高功率應(yīng)用。

2023-10-17 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器電機驅(qū)動 5.3k 0

基于GaN晶體管的500W電機驅(qū)動方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系

電機是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動的電機驅(qū)動系統(tǒng)進軍。但這個市場非常保守，適應(yīng)新技術(shù)的速度很...

2021-05-21 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵碳化硅 5.3k 0

碳化硅是由分子還是原子組成的？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

2023-02-12 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 5.3k 0

GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

2021-11-17 標(biāo)簽：SiC GaN 半導(dǎo)體器件 5.3k 0

碳化硅肖特基二極管降低能源成本和空間要求

相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關(guān)損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。

2018-07-06 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅 5.2k 0

一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域

氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點1800℃...

2023-03-08 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵 5.1k 0

理想i8的LPM功率模塊設(shè)計解析

理想汽車自研的LPM（Li Power Module）高壓碳化硅（SiC）功率模塊是其純電戰(zhàn)略的核心技術(shù)之一，于2025年6月首次公開，搭載于旗艦純電車...

2025-08-16 標(biāo)簽：功率模塊 LPM 碳化硅 5.1k 0

新能源汽車時代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC（碳化硅）

新能源汽車相比于傳統(tǒng)燃油汽車，其中所使用的功率半導(dǎo)體器件成倍增加，根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù)，傳統(tǒng)燃油車的車均半導(dǎo)體用量為338美元...

2023-06-15 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 5.1k 0

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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