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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

一文詳解MEMS高溫壓力傳感器

高溫壓力傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域，用來監(jiān)測航空發(fā)動機、重型燃氣輪機、燃煤燃氣鍋爐等動力設(shè)備燃燒室內(nèi)的壓力，耐高溫和高可靠性是對其最基本的要求。

2024-01-23 標(biāo)簽：多晶硅 mems 壓力傳感器 6.4k 0

碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點

碳化硅MOS優(yōu)點：高頻高效，高耐壓，高可靠性?？梢詫崿F(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度。

2023-04-12 標(biāo)簽：變壓器 MOSFET IGBT 6.4k 0

碳化硅原理用途及作用

碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度...

2023-02-03 標(biāo)簽：電阻率碳化硅導(dǎo)電率 6.4k 0

瞻芯電子比鄰驅(qū)動?SiC專用驅(qū)動支持多領(lǐng)域高效應(yīng)用(下）

比鄰驅(qū)動?(Nextdrive?)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動芯片，具有緊湊、高速和智能的特點。

2023-07-25 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動芯片碳化硅 6.3k 0

碳化硅器件的生產(chǎn)流程，碳化硅有哪些優(yōu)劣勢？

中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要...

2023-10-27 標(biāo)簽：肖特基二極管功率器件 SiC 6.3k 0

碳化硅在電機驅(qū)動中的應(yīng)用

今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。

2025-08-29 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 碳化硅 6.1k 0

五大陶瓷基板材料特性及應(yīng)用大全

BeO為纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，單胞為立方晶系。其熱傳導(dǎo)能力極高，BeO質(zhì)量分?jǐn)?shù)為99%的BeO陶瓷，室溫下其熱導(dǎo)率（熱導(dǎo)系數(shù)）可達310W/(m·K)，為同等純...

2023-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅陶瓷基板 6.1k 0

簡述碳化硅襯底類型及應(yīng)用

碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。

2023-05-09 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 6.1k 0

金剛石碳化硅晶體硅的熔沸點怎么比較

金剛石、碳化硅和晶體硅都是由碳元素構(gòu)成的晶體材料，它們具有不同的晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)性質(zhì)。一、晶體結(jié)構(gòu) 金剛石金剛石是一種具有四面體結(jié)構(gòu)的碳原子晶體。每個...

2024-08-08 標(biāo)簽：晶體硅金剛石電導(dǎo)率 6k 0

從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢對比

派恩杰半導(dǎo)體認(rèn)為，Cascode結(jié)構(gòu)只是從Si產(chǎn)品轉(zhuǎn)向SiC產(chǎn)品的一個過渡產(chǎn)品，因為Cascode結(jié)構(gòu)完全無法發(fā)揮出SiC器件的獨特優(yōu)勢。

2022-02-23 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 6k 0

電機碳化硅技術(shù)指標(biāo)是什么碳化硅國家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)介紹

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視，并在多個領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，并且展現(xiàn)出了良好的發(fā)展前景。

2023-02-02 標(biāo)簽：電動車 SiC 碳化硅 6k 0

碳化硅和硅的優(yōu)勢對比

寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅（Si）無法實現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能，兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢。

2023-10-30 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 5.9k 0

晶圓靜電吸附（ESC）詳解

什么是真空吸盤？晶圓真空吸盤通常由堅硬的表面構(gòu)成，表面上有許多小孔或通道。通過這些小孔，吸盤可以與真空泵連接，從而產(chǎn)生真空效應(yīng)。

2023-09-08 標(biāo)簽：晶圓溫度控制芯片封裝 5.8k 0

TaC涂層石墨件的應(yīng)用與研發(fā)難點都有哪些呢？

以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換和微波信號傳輸能力，能滿足高頻、高溫、大功率和抗輻射電子器件的需求。

2024-02-20 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換 5.8k 0

碳化硅在電子產(chǎn)品中的應(yīng)用（2）

功率電子是基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè);所有電力設(shè)備都將使用某種形式的電源管理器件。因此，功率器件的進步也推動了大量應(yīng)用的進展。這就是為何看到使用WBG材料的功率電子是很常...

2018-09-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源管理碳化硅 5.7k 0

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串?dāng)_問題

碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時間），較低的損耗，更高的開關(guān)頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應(yīng)地帶來效率的替身，系統(tǒng)磁性元器件減小，功率...

2023-08-27 標(biāo)簽：二極管 IGBT SiC 5.7k 0

氮化鎵芯片優(yōu)缺點有哪些

氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有很多優(yōu)點和一些缺點。以下是關(guān)于氮化鎵芯片的詳細介紹。優(yōu)點： 1.高頻率特性：GaN芯片具有優(yōu)秀的高...

2024-01-10 標(biāo)簽：芯片氮化鎵碳化硅 5.7k 0

英飛凌實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析

以對稱的布板設(shè)計來實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實際的測量結(jié)果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳...

2021-02-21 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 碳化硅 5.7k 0

一款雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計方案解析

電池供電的便攜設(shè)備越來越多，在今日生活中扮演的角色也越來越重要。這個趨勢還取決于高能量儲存技術(shù)的發(fā)展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級電容器。這些...

2020-12-30 標(biāo)簽：鋰離子電池超級電容器電感器 5.7k 0

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)的工藝及現(xiàn)狀研究

作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料，碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器...

2022-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 5.6k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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TI是富有遠見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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