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EVLMG4LPWRBR1 GaN功率模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics EVLMG4LPWRBR1基于GaN的半橋電源模塊配有MASTERGAN4L,其可快速創(chuàng)建拓?fù)?,無(wú)需完整的PCB設(shè)...
?基于MASTERGAN1L的GaN半橋電源模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半橋電源模塊配有MASTERGAN1L,其可快速創(chuàng)建拓?fù)?,無(wú)需完整的PCB設(shè)...
STDRIVEG611半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STDRIVEG611半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是用于N溝道增強(qiáng)模式GaN的高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分設(shè)計(jì)能夠承受高達(dá)...
analog devices方案:在LTspice仿真中使用GaN FET模型
近年來(lái),工業(yè)電源市場(chǎng)對(duì)氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性,能夠在較高開(kāi)關(guān)頻率...
?STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動(dòng)器深度解析與設(shè)計(jì)指南
STMicroelectronics STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于N溝道增強(qiáng)模式GaN,高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分可承受高達(dá)220V電壓軌。這些驅(qū)...
?STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于N溝道增強(qiáng)模式GaN,高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分可承受高達(dá)220V電壓軌。這些驅(qū)...
PI技術(shù)白皮書(shū) 1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)中的應(yīng)用
白皮書(shū)?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢(shì),展示了其經(jīng)過(guò)實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證的可靠性以及滿足800...
2025-10-14 標(biāo)簽:PI數(shù)據(jù)中心SiC 401 0
解析GaN-MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中,p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案,分別適用于不同的應(yīng)用...
TMS320F280037C微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
TMS320F280038C-Q1微控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
TMS320F28003x系列微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
TMS320F28003x系列微控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)的全文總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
TMS320F280039微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
TMS320F280033微控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
TMS320F280038-Q1微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
TMS320F280036-Q1微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
?TMS320F28P55x系列微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P55x (F28P55x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包括但不...
?基于TI LMG34XX-BB-EVM評(píng)估板的GaN功率器件技術(shù)解析
Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaN系統(tǒng)評(píng)估板是一款簡(jiǎn)單易用的分線板,用于將任何LMG341x半橋板(例如LMG34...
2025-09-26 標(biāo)簽:半橋GaN同步降壓轉(zhuǎn)換器 216 0
TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括...
2025-09-26 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 1.8k 0
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