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EVLMG4LPWRBR1 GaN功率模塊技術解析與應用指南
STMicroelectronics EVLMG4LPWRBR1基于GaN的半橋電源模塊配有MASTERGAN4L,其可快速創(chuàng)建拓撲,無需完整的PCB設...
?基于MASTERGAN1L的GaN半橋電源模塊技術解析與應用指南
STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半橋電源模塊配有MASTERGAN1L,其可快速創(chuàng)建拓撲,無需完整的PCB設...
analog devices方案:在LTspice仿真中使用GaN FET模型
近年來,工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性,能夠在較高開關頻率...
PI技術白皮書 1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數據中心架構中的應用
白皮書?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢,展示了其經過實際應用驗證的可靠性以及滿足800...
?基于TI LMG34XX-BB-EVM評估板的GaN功率器件技術解析
Texas Instruments LMG34XX-BB-EVM GaN系統(tǒng)評估板是一款簡單易用的分線板,用于將任何LMG341x半橋板(例如LMG34...
TPS7H6025-SP 抗輻射QMLP 22V半橋GaN柵極驅動器技術手冊
TPS7H60x5 系列輻射硬度保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括...
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