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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1256人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3169個 瀏覽：258970次 帖子：484個

      igbt技術(shù)

      igbt驅(qū)動波形振蕩原因及解決方法

      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導體器件。它結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管（BJT）的優(yōu)點，具有高輸入阻抗、低導通壓降...

      2024-07-25 標簽：IGBT電力電子振蕩 9k 0

      自舉升壓驅(qū)動芯片的基本原理

      自舉升壓驅(qū)動芯片的基本原理

      自舉升壓驅(qū)動芯片在MOS/IGBT的驅(qū)動中應(yīng)用已經(jīng)十分廣泛，自舉升壓作為產(chǎn)生浮地電源的普遍方法，應(yīng)用起來十分便捷，行之有效。

      2023-03-20 標簽：二極管IGBTMOS 8.9k 0

      大功率IGBT驅(qū)動的技術(shù)特點及發(fā)展趨勢分析

      大功率IGBT驅(qū)動的技術(shù)特點及發(fā)展趨勢分析

      由于igbt具有開關(guān)頻率高、導通功耗小及門極控制方便等特點，在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在igbt應(yīng)用中，除其本身的技術(shù)水平以外，另一個要考慮的重...

      2021-03-11 標簽：驅(qū)動器變換器igbt 8.9k 0

      IGBT的四個主要參數(shù)

      絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種電力電子器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的優(yōu)點。IGBT廣泛應(yīng)用于工...

      2024-07-25 標簽：電流電力電子器件IGBT 8.9k 0

      逆變電路中IGBT安全操作注意事項，IGBT的主要特性參數(shù)

      逆變電路中IGBT安全操作注意事項，IGBT的主要特性參數(shù)

      對于過壓保護采取的措施為：門極和發(fā)射極之間并聯(lián)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管Vz3和Vz4；門極和發(fā)射極之間加門極發(fā)射極電阻R6；加阻容吸收電路，由D6、R14和...

      2017-05-17 標簽：電阻電容igbt 8.9k 1

      電動汽車中逆變器里的電容到底有什么特別

      上半年COVID-19疫情的爆發(fā)，給IT設(shè)備領(lǐng)域創(chuàng)造了新的行業(yè)熱點，但對交通出行行業(yè)造成了重創(chuàng)。從中國汽車工業(yè)協(xié)會（CAAM）的數(shù)據(jù)來看，今年一季度，乘...

      2020-10-17 標簽：電動汽車逆變器IGBT 8.9k 0

      如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應(yīng)

      如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應(yīng)

      使用IGBT時，面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動器（單電源驅(qū)動器）中，這種影響是明顯的。

      2021-05-17 標簽：電容器IGBT柵極驅(qū)動器 8.9k 0

      IGBT模塊單極驅(qū)動的特殊注意事項

      IGBT模塊單極驅(qū)動的特殊注意事項

      開關(guān)IGBT T1時，主電流將從續(xù)流二極管D1換向到IGBT。由于二極管電流衰減產(chǎn)生的電流變化率diC2 /dt在LσE2上產(chǎn)生感應(yīng)電壓，并使T2的發(fā)射...

      2018-08-06 標簽：英飛凌分壓器IGBT 8.9k 0

      英飛凌EconoPIM3 IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解

      模塊內(nèi)部左上方還集成了一個單獨的IGBT，邊上還有一個相應(yīng)的小的二極管。用于制動的和由于這個IGBT的面積小，所以功率電流小，用于制動，也就是制動單元。

      2023-04-11 標簽：英飛凌二極管熱敏電阻 8.9k 0

      OC故障的生成機制及屏蔽方法

      OC故障的生成機制及屏蔽方法

      　　我們先看一下OC故障的生成機制，再進而找到屏蔽OC故障的方法。

      2023-01-17 標簽：檢測電路信號IGBT 8.9k 0

      浩寶推出IGBT功率半導體無空洞、高可靠真空焊接設(shè)備

      浩寶推出IGBT功率半導體無空洞、高可靠真空焊接設(shè)備

      隨著全球新能源的發(fā)展，功率半導體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求

      2023-09-01 標簽：MOSFETIGBTLED封裝 8.9k 0

      mosfet與igbt對比優(yōu)缺點

      在具有最小Eon損耗的ZVS 和 ZCS應(yīng)用中，MOSFET由于具有較快的開關(guān)速度和較少的關(guān)斷損耗，因此能夠在較高頻率下工作。

      2023-04-01 標簽：MOSFET整流器IGBT 8.8k 0

      什么是IEGT呢？這得從上個世紀末說起

      屈興國告訴半導體行業(yè)觀察記者，東芝IEGT單管目前可以實現(xiàn)4.5KV和3KA的功率，再加上簡易的串聯(lián)實施，這些產(chǎn)品完美匹配中國柔性直流輸電、直流電網(wǎng)發(fā)展...

      2018-07-11 標簽：東芝IGBT功率器件 8.8k 0

      變頻器三相電壓不平衡的問題分析及解決排查

      在變頻器維修中，有時候會碰到變頻器三相電壓不平衡的問題，空載時不報警，重載時變頻器會有輸出缺項報警，造成這種問題如下。

      2022-11-17 標簽：變頻器IGBT三相電壓 8.8k 0

      參考設(shè)計：適用于半橋結(jié)構(gòu)的隔離式IGBT柵極驅(qū)動Flybuck電源

      參考設(shè)計：適用于半橋結(jié)構(gòu)的隔離式IGBT柵極驅(qū)動Flybuck電源

      本參考設(shè)計采用 Flybuck 變換器為 IGBT 柵極驅(qū)動器提供正負電壓軌。Flybuck 變換器可等效于降壓變換器和類似反激變換器二次側(cè)的組合，采用...

      2023-05-25 標簽：轉(zhuǎn)換器驅(qū)動器BUCK 8.7k 0

      基于IGBT的緩沖電路怎樣選擇電容？電容大小不同導線該如何選擇？

      在諧振電容選擇前，應(yīng)首先確定IGBT 驅(qū)動的負載電流IGmax的最大值、外施電源V的最大值以及要求的開關(guān)管電壓上升時間Tr。因緩沖電容Cl、C2配合充放...

      2017-06-02 標簽：電容電感igbt 8.7k 0

      IGBT和SiC電源開關(guān)知識科普

      IGBT 和 SiC 電源開關(guān)有哪些市場和應(yīng)用? 高效的電源轉(zhuǎn)換在很大程度上取決于系統(tǒng)中使用的功 率半導體器件。由于功率器件技術(shù)不斷改進，大功率應(yīng) 用的...

      2022-03-18 標簽：IGBT電源開關(guān)SiC 8.7k 0

      IGBT設(shè)計關(guān)鍵因素分析

      IGBT設(shè)計關(guān)鍵因素分析

      因為最近工作中比較多的涉及到IGBT，所以今天我們來聊一聊IGBT的設(shè)計的相關(guān)要點，當然只是從我們比較關(guān)心的幾點出發(fā)，概括性地來說一說。而沒有深入到物理...

      2019-01-01 標簽：IGBT 8.6k 0

      電機驅(qū)動器和電機控制器的區(qū)別

      電機驅(qū)動器和電機控制器的區(qū)別

      在大多數(shù)電子項目或機器人應(yīng)用中，電機驅(qū)動器和電機控制器起著非常重要的作用。

      2023-08-16 標簽：MOSFET步進電機IGBT 8.5k 0

      功率器件的種類和應(yīng)用領(lǐng)域

      功率器件，也稱為功率電子器件，是電子設(shè)備中至關(guān)重要的組成部分，它們具備處理高電壓和高電流的能力，是電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心。以下是對功率器件的詳細介紹，...

      2024-07-16 標簽：IGBT晶體管功率器件 8.4k 0

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        IOT
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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        海思
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      • STM32F103C8T6
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        光立方
        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        K60
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        +關(guān)注
        STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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      • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
        聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
        +關(guān)注
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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
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        靜電防護
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