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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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推薦一款優(yōu)質(zhì)的IGBT單管來應(yīng)用于電焊機(jī)中
電焊機(jī)在工業(yè)加工領(lǐng)域的應(yīng)用是非常廣泛的,其品類就有直流電焊機(jī)、氬弧焊機(jī)、交流弧焊機(jī)、二氧化碳保護(hù)焊機(jī)、對焊機(jī)、點(diǎn)焊機(jī)等等。
igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?
IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極...
什么是IGBT?如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”,IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管...
更高性能!更低成本!青銅劍科技力推新能源車用IGBT驅(qū)動系列方案
一、 概 述 近年來,在國家政策支持下,新能源汽車行業(yè)發(fā)展迅猛。根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會公布的數(shù)據(jù),2017年1-11月,新能源汽車產(chǎn)銷分別完成63.9萬輛...
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊,對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理...
采用IGBT器件的電壓源逆變器應(yīng)用時(shí)如何避免橋臂直通
本文給出了控制死區(qū)時(shí)間的計(jì)算方法,闡述了開關(guān)時(shí)間的影響因素,并且介紹了減小死區(qū)時(shí)間的方法。
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊,對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理...
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)開關(guān)功率器件 1.1萬 0
IGBT如何選型,在選擇IGBT時(shí)需要考慮的參數(shù)
IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transi...
2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.1萬 0
MOSFET,IGBT和三極管的優(yōu)缺點(diǎn)分析(視頻分析)
設(shè)計(jì)開關(guān)電源要選擇合適的元器件,元器件多種多樣,要如何選,元器件的優(yōu)缺點(diǎn)都是怎么樣的就是本節(jié)課程要跟大家講解的。
2019-04-25 標(biāo)簽:三極管MOSFET開關(guān)電源 1.1萬 0
1、P型和N型半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體摻雜三價(jià)元素,根據(jù)高中學(xué)的化學(xué)鍵穩(wěn)定性原理,會有“空穴”容易導(dǎo)電,因此,這里空穴是“多子”即多數(shù)載流子,摻雜類型為P(p...
Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時(shí),漂移層會變厚,導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問題。
美的電磁爐維修經(jīng)驗(yàn)分享,同步檢測電路工作原理
現(xiàn)在電磁爐已經(jīng)是家里必備電器之一了,加熱快,使用方便,給我們帶來很大便利。雖然現(xiàn)在電路集成度高,不易損壞,但由于工作環(huán)境和元器件自然壽命原因,也會有不少...
分布式能源與充電站一體化解決辦法分析以及共直流母線IGBT充電集如何助力
但是,分布式能源和汽車充電站一體化發(fā)展的傳統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方式還具備單向傳遞、能源逆變損耗大、效率低等劣勢。為此,深圳市安和威電力科技股份有限公司推出了“光儲充”...
辯證分析MOSFET與IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用區(qū)別
這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下...
雙向開關(guān)的介紹/特性/結(jié)構(gòu)/功能
雙向電源開關(guān) (BPS) 是一種使用 MOSFET 或 IGBT 構(gòu)建的有源器件,在上電時(shí)允許雙向雙向電流流動,并在斷電時(shí)阻止雙向電壓流。
場效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)。
2023-11-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管JFET 1.1萬 0
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