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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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雙電壓整流電路設(shè)計(jì),IGBT模塊適用于整流電路嗎?
不用兩個(gè)整流橋。用一個(gè)即可,把2個(gè)18伏交流接到整流橋的交流輸入端,把變壓器抽頭0伏接地線(線路板的地線),整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波,電容器2...
2017-05-03 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶閘管整流電路 1.3萬(wàn) 1
利用英飛凌IGBT單管設(shè)計(jì)手提式焊機(jī)
D2PAK封裝雜散電感小, 開(kāi)關(guān)損耗小,價(jià)格便宜,表貼安裝于IMS材料上,熱阻低,易于自動(dòng)化焊接生產(chǎn),可靠性高,非常適合做小巧,輕便,低價(jià),高可靠性的單...
基于IEGT技術(shù)的柔性直流輸電系統(tǒng)分析以及在未來(lái)的發(fā)展前景
中國(guó)的柔性直流輸電剛剛起步,發(fā)展速度很快,前景美好,預(yù)計(jì)將取代交流輸電和傳統(tǒng)直流輸電,成為主流輸電技術(shù)。柔性直流輸電換流閥采用全控型功率開(kāi)關(guān)IGBT,相...
小白常犯的錯(cuò)誤:IGBT的頻率的高底取決于散熱和電流
首先,開(kāi)關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開(kāi)關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下,IGBT每次開(kāi)關(guān)都會(huì)產(chǎn)生一定的損耗,開(kāi)通損耗是Eon,關(guān)斷損耗是Eoff,...
在一些電力電子應(yīng)用場(chǎng)合,不僅需要高壓IGBT模塊有優(yōu)異的性能,還需要具有相當(dāng)高的可靠性;為了滿足實(shí)際需求,希望高壓IGBT模塊的壽命能達(dá)到30年,所以,...
IGBT應(yīng)用中的換流方式 IGBT上下橋短路的原因
IGBT在應(yīng)用中的換流方式主要有三種,即半橋換流、全橋換流和三相換流。
車(chē)載功率半導(dǎo)體概述!汽車(chē)級(jí)大功率IGBT發(fā)展趨勢(shì)
MOSFET 的優(yōu)點(diǎn)是較高的開(kāi)關(guān)頻率,可以工作在百 kHz 到 MHz 之間;缺點(diǎn)是耐壓低,在高電壓、大電流應(yīng)用中損耗非常大,因而限制了其應(yīng)用。IGBT...
2018-07-26 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT功率半導(dǎo)體 1.3萬(wàn) 0
淺談高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——ACPL-337J
ACPL-337J是一款先進(jìn)的高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器,旨在隔離,驅(qū)動(dòng),保護(hù)和反饋IGBT的工作狀態(tài)。 它具有軌到軌輸出,可以提供4A的最大電流,能...
淺談功率半導(dǎo)體的技術(shù)與未來(lái)產(chǎn)業(yè)發(fā)展
經(jīng)過(guò)了很長(zhǎng)一段時(shí)間的發(fā)展,功率半導(dǎo)體在相關(guān)電源電路中的應(yīng)用已經(jīng)不可替代。尤其是在當(dāng)前太陽(yáng)能著力發(fā)展的時(shí)代,功率半導(dǎo)體更是大踏步向前,雖然目前有著氮化鎵與...
2013-02-25 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬(wàn) 0
總結(jié)一下,對(duì)于米勒電流引起的寄生導(dǎo)通,在0V關(guān)斷的情況下,可以使用米勒鉗位來(lái)抑制。當(dāng)出現(xiàn)非米勒電流引起的寄生導(dǎo)通時(shí),如果不想減慢開(kāi)關(guān)速度增加損耗的話,加...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)三相全橋整流電路的原理是基于IGBT的開(kāi)關(guān)特性,將三相交流電轉(zhuǎn)換為直流電。...
介紹MOSFET絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)
VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對(duì)最大值電壓,在管子工作時(shí),這兩端的電壓應(yīng)力不能超過(guò)最大值。在MOSFET選型時(shí),VDS電壓都要降額80%選用。
當(dāng)出現(xiàn)短路時(shí)IGBT的Vce快速上升,過(guò)高的dVce/dt會(huì)通過(guò)米勒電容給IGBT門(mén)極充電,若不進(jìn)行保護(hù)會(huì)使得門(mén)極電壓過(guò)高而損壞IGBT,門(mén)極鉗位電路主...
IGBT驅(qū)動(dòng)模塊控制器焊接系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案推薦
作為一種先進(jìn)的制造技術(shù),具有應(yīng)用范圍廣、工藝靈活性好、加工精度高、質(zhì)量好、生產(chǎn)過(guò)程清潔以及便于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化、柔性化、智能化和提高產(chǎn)品質(zhì)量、勞動(dòng)生產(chǎn)率等優(yōu)點(diǎn)...
把半橋電路的兩個(gè)橋臂諧振電容改成兩個(gè)IGBT,線圈串聯(lián)一個(gè)揩振電容就構(gòu)成全橋電路,IGBT1和IGBT4以及IGBT2和IGBT3交替工作,從而獲得比較...
論IGBT與SiC在汽車(chē)功率半導(dǎo)體中的作用
目前,全球新能源汽車(chē)發(fā)展方興未艾,而中國(guó)是一塊重要市場(chǎng),具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>
2019-04-25 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT 1.2萬(wàn) 0
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