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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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UCC27512 采用 SON 封裝的具有 5V UVLO 和分離輸出的 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27511 和 UCC27512 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 464 0
UCC21759-Q1 汽車級3.0kVrms,±10A單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21759-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進的保護...
UCC21540 5.7kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有高達 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用...
UCC44273 具有 5V UVLO 的 4A/4A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC44273 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。UCC44273 采用本質(zhì)上可最大限度降低擊穿電流...
ISO5852S-Q1 汽車5.7kVrms 2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
ISO5852S-Q1 器件的電壓為 5.7kV ~RMS~ ,用于 IGBT 和 MOSFET 的增強型隔離式柵極驅(qū)動器,具有分離輸出 OUTH 和 ...
UCC27518A-Q1 具有 5V UVLO、使能和反相 CMOS 輸入的汽車類 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC2751xA-Q1 單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 電源開關(guān)。憑借本質(zhì)上最小化擊穿電流的設(shè)計, UCC2751...
2025-05-20 標簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 446 0
UCC27527 具有 5V UVLO、使能、雙 CMOS 輸入的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件 能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上 UCC2752x 可最大限...
2025-05-20 標簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 433 0
UCC20520 5.7-kVrms, 4-A/6-A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC20520 是一款隔離式單輸入、雙通道柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動高達 5MHz 的功率 MOSFET、IG...
淺談SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導通損耗和開關(guān)損耗相關(guān),而SiC逆 變器在這兩點均...
UCC27532-Q1 具有 8V UVLO、35V VDD 和 CMOS 輸入的汽車類 2.5A/5A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27532-Q1 器件是一款單通道高速柵極驅(qū)動器,能夠以高達 2.5A 的拉電流和 5A 的灌電流(非對稱驅(qū)動)峰值電流有效驅(qū)動 MOSFET 和...
ISO5852S-EP 5.7kVrms,2.5A/5A 增強型 1 通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
ISO5852S-EP 器件的電壓為 5.7kV ~RMS~ 、增強型隔離柵極 用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET...
UCC27533 具有 8V UVLO、35V VDD 和反相/同相輸入的 2.5A/5A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC2753x 單通道高速柵極驅(qū)動器可有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 電源開關(guān)。UCC2753x 器件采用的設(shè)計允許通過非對稱驅(qū)動(分離輸出)提...
2025-05-20 標簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 413 0
UCC21551 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21551x 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計,用于驅(qū)動功率 MOS...
UCC21732-Q1 汽車類 5.7kVrms ±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21732-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進的保...
UCC27519A-Q1 具有 5V UVLO、使能和 CMOS 輸入的汽車類 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC2751xA-Q1 單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 電源開關(guān)。憑借本質(zhì)上最小化擊穿電流的設(shè)計, UCC2751...
2025-05-20 標簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 363 0
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽車級MS系列IGBT采用先進、專有的溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)進行開發(fā)。該IGBT屬于...
重新發(fā)現(xiàn)采用SIC FET的完美開關(guān)
有時有趣的是,事情如何改善或惡化取決于你的觀點。從利用電力的那一天起,就存在完美的開關(guān)——至少 18千沃爾特等世紀實驗者是這么認為的,他們用黃銅、木材和...
SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管
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