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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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耐高溫絕緣陶瓷涂層IGBT/MOSFET應(yīng)用 | 全球領(lǐng)先技術(shù)工藝材料
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)都是重要的半導(dǎo)體功率器件,它們?cè)陔娮与娐分邪l(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和...
三菱電機(jī)開(kāi)始提供X系列HV100封裝半橋HVIGBT模塊
根據(jù)三菱電機(jī)截至2023年4月25日的研究,與4.5kV額定電壓和10.2kVrms絕緣耐壓的HV100封裝半橋Si HVIGBT模塊對(duì)比得出
簡(jiǎn)單說(shuō)一下功率半導(dǎo)體的特色
『集成電路IC』,指采用半導(dǎo)體制備工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊晶片上,然后封裝好,成為具有一定功能...
2023-02-03 標(biāo)簽:集成電路IGBT功率半導(dǎo)體 935 0
IGBT作為功率半導(dǎo)體器件,對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手,詳細(xì)闡述使用過(guò)程中防靜電的具體注意事項(xiàng)與防護(hù)措施,確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。
2025-05-15 標(biāo)簽:IGBT防靜電功率半導(dǎo)體 934 0
滿(mǎn)足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來(lái)自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IG...
借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件 縮短比較分析的時(shí)間
相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類(lèi)的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn),因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 Press...
IGBT模塊參數(shù)詳解 車(chē)用IGBT模塊可靠性
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 是由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...
2022-11-16 標(biāo)簽:IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙極結(jié)型晶體管 917 0
對(duì)于對(duì)稱(chēng)IGBT結(jié)構(gòu),N基區(qū)寬度為200μm,通態(tài)集電極電流密度為100Acm-2,P+集電區(qū)/N基區(qū)結(jié)處空穴濃度(P0),計(jì)算得到空穴載流子密度。
如何設(shè)計(jì) IGBT 和 SiC FET 驅(qū)動(dòng)電路以防止誤觸發(fā)?
在設(shè)計(jì)IGBT或SiCFET橋接電路時(shí),門(mén)驅(qū)動(dòng)電路的正確設(shè)計(jì)與選擇晶體管同樣重要,以確保高可靠性。對(duì)環(huán)境的關(guān)注是可再生能源、智能工業(yè)和電動(dòng)出行等趨勢(shì)背后...
2024-11-05 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路SiC 914 0
UCC28070A 具有擴(kuò)展頻率范圍(10kHz 至 300kHz)的兩相交錯(cuò)式 CCM PFC 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28070A 器件是 UCC28070 器件的擴(kuò)展頻率范圍衍生產(chǎn)品,能夠在高功率應(yīng)用中基于 IGBT 功率開(kāi)關(guān)的 PFC 轉(zhuǎn)換器所需的低開(kāi)關(guān)頻率下...
BLDC電機(jī)常用IGBT:適用各類(lèi)家電優(yōu)選IGBT單管
BLDC電機(jī)不管在工業(yè)用還是家用領(lǐng)域的滲透率都在持續(xù)提升,除傳統(tǒng)的電動(dòng)工具、吸塵器、小家電外,還有汽車(chē)、電動(dòng)兩輪車(chē)、高速風(fēng)筒等都是不斷在提升的。
2023-07-13 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT驅(qū)動(dòng)電路 905 0
安森美SPM31系列1200V IGBT在三相熱泵的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
熱泵是一種既高效又環(huán)保的供暖方式,其可靠性和實(shí)用性已得到充分驗(yàn)證。它是推動(dòng)全球向可持續(xù)供暖趨勢(shì)發(fā)展的核心力量,運(yùn)行所需的電力具有低排放的特點(diǎn)。在與傳統(tǒng)鍋...
二極管開(kāi)關(guān)速度對(duì)雙脈沖測(cè)試條件下IGBT開(kāi)關(guān)特性的影響
階段1(0—t1):在此階段,柵極電流開(kāi)始對(duì)柵電容CGE充電,但是VGE<Vth,溝道未開(kāi)啟。
請(qǐng)問(wèn)大功率IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)器如何實(shí)現(xiàn)呢?
數(shù)字電路憑借其具有高穩(wěn)定性、高可靠性、可編程性、易于設(shè)計(jì)和經(jīng)濟(jì)性等突出特點(diǎn),其應(yīng)用日益普遍。
2023-07-04 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT隔離電源 901 0
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)是一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSF...
全球正加速向電氣化轉(zhuǎn)型,尤其是在交通和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。無(wú)論是乘用車(chē)還是商用/農(nóng)業(yè)車(chē)輛(CAV),都在轉(zhuǎn)向電動(dòng)驅(qū)動(dòng)。國(guó)際能源署(IEA)2022 年的數(shù)據(jù)顯...
功率器件開(kāi)關(guān)功耗測(cè)試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試
功率器件(MOSFET/IGBT) 是開(kāi)關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,功率器件的測(cè)試至關(guān)重要,主要包括開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試,...
2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源示波器 897 0
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