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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1256人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3172個 瀏覽：258914次 帖子：484個

      igbt技術(shù)

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      2025-03-14 標簽：測試IGBT直流電源 716 0

      水下航行器電機的SiC MOSFET逆變器設(shè)計

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      2024-03-13 標簽：MOSFET逆變器IGBT 705 0

      二極管應(yīng)用手冊

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      本書介紹了功率半導體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù)，器件部分涵蓋了當前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導體器件，包括二極管、晶閘管、MOSFET、...

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      根據(jù)Mordor Intelligence的數(shù)據(jù)，從2020年IGBT市場的價值就達到60.47億美元，預計到2026年將增長至110.1億美元。報告指...

      2023-09-07 標簽：晶閘管IGBT功率器件 683 0

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      2023-03-10 標簽：電動汽車壓縮機IGBT 679 0

      STGSH50M120D IGBT模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

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      NSG4427是低電壓功率MOSFET和IGBT同相位柵驅(qū)動器。專有的閂鎖免疫CMOS技術(shù)可以實現(xiàn)高魯棒性。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTT...

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      2025-05-20 標簽：MOSFET功率開關(guān)IGBT 658 0

      UCC27516 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動器，采用 SON 封裝數(shù)據(jù)手冊

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      UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...

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      UCC21732 5.7kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有 2 級關(guān)斷功能，用于 IGBT/SiC FET數(shù)據(jù)手冊

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      UCC14141-Q1 汽車級 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊

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      ADuM4137具有故障檢測功能的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊

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        +關(guān)注
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      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護
        靜電防護
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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