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      igbt

      igbt

      +關(guān)注1256人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3172個 瀏覽：258904次 帖子：484個

      igbt技術(shù)

      IGBT中的閂鎖效應(yīng)到底是什么

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      閂鎖（Lanch-up）效應(yīng)，一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng)，是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象，當(dāng)然，閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...

      2021-02-09 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1.8萬 0

      詳解IGBT的驅(qū)動電路及短路保護設(shè)計

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      IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度...

      2024-02-17 標(biāo)簽：MOSFETIGBT驅(qū)動電路 1.8萬 0

      一種具有雙向阻斷能力的，逆阻型IGBT(RB-IGBT

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      NPT-IGBT 結(jié)構(gòu)雖然沒有緩沖層，但是它的反向阻斷能力依然很差，因為芯片的尺寸是有限的，在切割芯片時，如果切割線穿過了承受高壓的pn結(jié)，晶格損傷和應(yīng)...

      2018-12-28 標(biāo)簽：芯片二極管IGBT 1.8萬 0

      MOS管和IGBT是什么？有哪些區(qū)別？

      MOS管和IGBT是什么？有哪些區(qū)別？

      　　MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，也被稱為MOSFET(MOS場效應(yīng)管)，是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。

      2023-02-25 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管NMOS 1.8萬 0

      IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法

      IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法

      　IGBT就是一個開關(guān)，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當(dāng)柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時IGBT導(dǎo)通，柵源...

      2017-06-05 標(biāo)簽：igbt 1.7萬 0

      IGBT動態(tài)雪崩產(chǎn)生機制_IGBT動態(tài)雪崩的抑制方法

      IGBT動態(tài)雪崩產(chǎn)生機制_IGBT動態(tài)雪崩的抑制方法

      在動態(tài)關(guān)斷過程中，器件內(nèi)部所發(fā)生的由電流控制的受自由載流子濃度影響的碰撞電離現(xiàn)象。

      2019-10-07 標(biāo)簽：IGBTIGBT驅(qū)動 1.7萬 0

      IGBT與MOSFET的本質(zhì)區(qū)別是什么？

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      由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但是前提耐壓能力沒有IGBT強。

      2018-07-24 標(biāo)簽：MOSFETIGBT 1.7萬 0

      引起變頻器過熱的故障原因和解決方法

      烈日炎炎的天氣是變頻器發(fā)熱的硬傷，現(xiàn)有大批研究及實踐表明變頻器的故障率會隨溫度的升高而上升，使用壽命隨溫度的升高而下降，環(huán)境溫度升高10℃，變頻器使用壽...

      2023-06-20 標(biāo)簽：變頻器IGBT風(fēng)扇 1.7萬 0

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      隨著人類社會的不斷發(fā)展,能源問題日益成為所有國家面臨的重大問題,尋找干凈的新型能源和節(jié)能降耗將成為人類社會發(fā)展的永恒主題。城市照明用電是電能的消耗大戶,...

      2018-01-06 標(biāo)簽：濾波電容IGBT交流斬波 1.7萬 0

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      IGBT功率模塊是逆變器的核心功率器件。逆變器用于驅(qū)動電機，為汽車運行提供動力。當(dāng)電驅(qū)動系統(tǒng)工作時，逆變器從電池組獲取直流電，并轉(zhuǎn)換成交流電來驅(qū)動電機。...

      2018-05-16 標(biāo)簽：新能源汽車逆變器IGBT 1.7萬 0

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶...

      2023-09-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1.7萬 0

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      IGBT的驅(qū)動電路必須具備兩種功能：一是實現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動IGBT柵極的電位隔離；二是提供合適的柵極驅(qū)動脈沖。實現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓...

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      2019-08-31 標(biāo)簽：CPU變頻器IGBT 1.7萬 0

      igbt的使用方法

      IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入...

      2017-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體igbt晶體管 1.7萬 0

      IGBT的工作原理及基本特性

      IGBT的工作原理及基本特性

      　　絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。

      2022-10-28 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1.7萬 0

      IGBT上下橋關(guān)斷尖峰不一樣是何原因？

      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。在IGBT的開關(guān)過程中，上下橋臂的關(guān)斷尖峰現(xiàn)象是影響器件性能和可靠性的重要因素。

      2024-05-29 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1.7萬 0

      基于IGBT器件的大功率DC/DC電源技術(shù)方案

      本文介紹的是主要要求不可避免地需采用電源并聯(lián)技術(shù)，即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對于 20kA直流電源，若采用功率管IGBT并聯(lián)，每個橋臂則至少需15只...

      2014-04-02 標(biāo)簽：IGBT大功率直流電源 1.7萬 1

      IGBT通用計算方法，IGBT門極驅(qū)動是什么意思，工作原理是什么？

      IGBT通用計算方法，IGBT門極驅(qū)動是什么意思，工作原理是什么？

      HCPL316J 可以驅(qū)動 150 A/1200 V 的 IGBT ，光耦隔離， COMS/TTL 電平兼容，過流軟關(guān)斷，最大開關(guān)速度 500 ns ，...

      2017-05-23 標(biāo)簽：變壓器igbt光耦 1.7萬 0

      IGCT是什么 igct和igbt有什么區(qū)別

      　IGCT和IGBT之間的主要區(qū)別在于IGCT可以提供更高的效率和更低的損耗，而IGBT可以提供更高的功率密度和更低的噪聲。此外，IGCT可以提供更高的...

      2023-02-21 標(biāo)簽：IGBTIGCT 1.7萬 0

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        靜電防護
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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