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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)解釋和拆解
在大致了解了它的結(jié)構(gòu)之后,我們可以用這種結(jié)構(gòu)的黑色模塊做什么呢?舉一個(gè)我們身邊的例子:新型電動(dòng)汽車,大家應(yīng)該都不陌生了。三個(gè)這樣的黑色模塊可以用作三相電...
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用、工作特性與使用要求
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大,以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提,驅(qū)動(dòng)電路起到...
2016-08-05 標(biāo)簽:電路圖igbt驅(qū)動(dòng)電路 2.6萬(wàn) 0
IGBT晶體管采用這兩種常見晶體管的最佳部分,即MOSFET的高輸入阻抗和高開關(guān)速度利用雙極晶體管的低飽和電壓,將它們組合在一起,產(chǎn)生另一種類型的晶體管...
大家好,今天我們聊一下IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)。IGBT作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛,被譽(yù)...
2022-04-20 標(biāo)簽:模塊IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu) 2.5萬(wàn) 0
逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的設(shè)備,它的主要原理是利用半導(dǎo)體器件(如場(chǎng)效應(yīng)管或晶閘管等)的開關(guān)特性,通過快速切換來控制電源電壓和電流,從而實(shí)現(xiàn)將直流...
2023-06-28 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管逆變器 2.5萬(wàn) 0
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)幾個(gè)方面的不同
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短...
IGBT,電力電子的CPU!小小功率半導(dǎo)體器件,卻在很多電力電子相關(guān)的領(lǐng)域發(fā)揮著巨大的作用。近年來,IGBT發(fā)展迅猛,英飛凌以及日本廠商不斷針對(duì)各類應(yīng)用...
2020-10-27 標(biāo)簽:IGBT 2.5萬(wàn) 0
對(duì)新能源車來說,電池、VCU、BSM、電機(jī)效率都缺乏提升空間,最有提升空間的當(dāng)屬電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件IGBT(Insulated G...
漏極電流的下降時(shí)間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關(guān)斷時(shí)間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之...
搞電力電子的應(yīng)該都知道IGBT和MOSFET屬于全控型電力電子器件,在應(yīng)用的時(shí)候把它當(dāng)作一個(gè)開關(guān)就可以了,但估計(jì)很少人能夠說出IGBT和MOSFET工作...
IGBT的溫度及安全運(yùn)行 IGBT的溫度可由下圖描述: 溫差 (平均值)和熱阻關(guān)系如下式: Rthjc = ΔTjc ÷ 損耗 Rthch = ΔTch...
2025-02-14 標(biāo)簽:IGBT 2.4萬(wàn) 0
全面解析BJT、FET、JFET、MOSFET、IGBT晶體管
晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件,用于開關(guān)或放大信號(hào)。其輸入端的小電流或電壓可用于控制非常高的輸出電壓或電流。
IGBT封裝流程及其原理分析,簡(jiǎn)潔明了的告訴你如何測(cè)試IGBT
散熱管理設(shè)計(jì)方面,通過采用封裝的熱模擬技術(shù),優(yōu)化了芯片布局及尺寸,從而在相同的ΔTjc條件下,成功實(shí)現(xiàn)了比原來高約10%的輸出功率。
IGBT的三種安全工作區(qū)(FBSOA/RBSOA/SCSOA)
失效器件送到原廠做FA分析,看到的字眼通常包含over voltage,over current,short circuit,EOS等,但是,其失效的深...
圖5-14所示是采用IGBT過流時(shí)UCE增大的原理構(gòu)成的保護(hù)電路,該電路采用IGBT專用驅(qū)動(dòng)器EXB841。
2024-05-24 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器比較器IGBT 2.3萬(wàn) 0
利用有源米勒鉗位技術(shù)有效緩解緩米勒效應(yīng)
當(dāng)IGBT在開關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的?;陂T極G與集電極C之間的耦合,...
IGBT廣泛應(yīng)用于“I”字型三電平環(huán)流場(chǎng)景的詳解
三電平簡(jiǎn)介:NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用最為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
淺析IGBT并聯(lián)技術(shù)-并聯(lián)方法分類
IGBT并聯(lián)可以分為“硬并聯(lián)”及“橋臂并聯(lián)”2大類。
2024-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBTbuck電路 2.3萬(wàn) 0
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